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【藏族婚紗照】滬硅產業:擬股權收購所涉及的上海新?N半導體科技有限公司股東全部權益項目

本資產評估報告依據中國資產評估準則編制




       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購
         所涉及的上海新昇半導體科技有限公司
                   股東全部權益項目



               資 產 評 估 報 告
              中聯評報字【2020】第 887 號




               中聯資產評估集團有限公司

                    二〇二〇年五月
                                       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告




                                   目    錄


聲明 ........................................................ 1
摘   要 ...................................................... 3
資 產 評 估 報 告 ........................................... 5
  一、委托人、被評估單位和其他評估報告使用者 .................. 5
  二、評估目的 ............................................... 9
  三、評估對象和評估范圍 .................................... 10
  四、價值類型及其定義 ...................................... 36
  五、評估基準日 ............................................ 36
  六、評估依據 .............................................. 37
  七、評估方法 .............................................. 40
  八、評估程序實施過程和情況................................. 52
  九、評估假設 .............................................. 54
  十、評估結論 .............................................. 55
  十一、特別事項說明 ........................................ 58
  十二、資產評估報告使用限制說明............................. 61
  十三、資產評估報告日 ...................................... 62
附件目錄 .................................................... 64




中聯資產評估集團有限公司
                                       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告



                                    聲明
     一、本資產評估報告依據財政部發布的資產評估基本準則和中國資產
評估協會發布的資產評估執業準則和職業道德準則編制。
     二、委托人或者其他資產評估報告使用人應當按照法律、行政法規規
定和資產評估報告載明的使用范圍使用資產評估報告;委托人或者其他資
產評估報告使用人違反前述規定使用資產評估報告的,資產評估機構及其
資產評估專業人員不承擔責任。
     三、資產評估報告僅供委托人、資產評估委托合同中約定的其他資產
評估報告使用人和法律、行政法規規定的資產評估報告使用人使用;除此
之外,其他任何機構和個人不能成為資產評估報告的使用人。
     四、資產評估報告使用人應當正確理解和使用評估結論,評估結論不
等同于評估對象可實現價格,評估結論不應當被認為是對評估對象可實現
價格的保證。
     五、資產評估報告使用人應當關注評估結論成立的假設前提、資產評
估報告特別事項說明和使用限制。
     六、資產評估機構及其資產評估專業人員遵守法律、行政法規和資產
評估準則,堅持獨立、客觀、公正的原則,并對所出具的資產評估報告依
法承擔責任。
     七、我們已對資產評估報告中的評估對象及其所涉及資產進行現場調
查;已經對評估對象及其所涉及資產的法律權屬狀況給予必要的關注,對
評估對象及其所涉及資產的法律權屬資料進行了查驗,對已經發現的問題
進行了如實披露,并且已提請委托人及其他相關當事人完善產權以滿足出
具資產評估報告的要求。
     本評估機構及資產評估師不對評估對象及其所涉及資產的法律權屬


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的真實性做任何形式的保證。




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            上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購
             所涉及的上海新昇半導體科技有限公司
                            股東全部權益項目

                           資 產 評 估 報 告
                      中聯評報字【2020】第 887 號
                                    摘    要
     中聯資產評估集團有限公司接受上海硅產業集團股份有限公司的委
托,就上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購之經濟行為,對所涉及的
上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益在評估基準日的市場價值進
行了評估。
     評估對象為上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益,評估范圍是
上海新昇半導體科技有限公司的全部資產及相關負債,包括流動資產、非
流動資產及相應負債。
     評估基準日為 2019 年 9 月 30 日。
     本次評估的價值類型為市場價值。
     本次評估以持續使用和公開市場為前提,結合委估對象的實際情況,
綜合考慮各種影響因素,分別采用資產基礎法和市場法兩種方法對上海新
昇半導體科技有限公司進行整體評估,然后加以校核比較??紤]評估方法
的適用前提和滿足評估目的,本次選用資產基礎法評估結果作為最終評估
結論。
     經實施清查核實、實地查勘、市場調查和詢證、評定估算等評估程序,
得出上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益在評估基準日 2019 年 9
月 30 日的評估結論如下:
     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益在評估基準日 2019 年 9

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月 30 日的評估值為 199,726.08 萬元,較賬面值 67,040.30 萬元,評估增
值 132,685.78 萬元,增值率 197.92%。
     在使用本評估結論時,特別提請報告使用者使用本報告時注意報告中
所載明的特殊事項以及期后重大事項。
     根據資產評估相關法律法規,涉及法定評估業務的資產評估報告,須
委托人按照法律法規要求履行資產評估監督管理程序后使用,評估結果使
用有效期一年,即自 2019 年 9 月 30 日至 2020 年 9 月 29 日使用有效。
     以上內容摘自資產評估報告正文,了解本評估項目的詳細情況和合理
理解評估結論,應當閱讀資產評估報告全文。




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            上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購
             所涉及的上海新昇半導體科技有限公司
                             股東全部權益項目

                           資 產 評 估 報 告
                           中聯評報字【2020】第 887 號


上海硅產業集團股份有限公司:
     中聯資產評估集團有限公司接受貴公司的委托,根據有關法律法規和
資產評估準則,堅持獨立、客觀和公正的原則,采用資產基礎法和市場法,
按照必要的評估程序,對上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購之經濟
行為所涉及的上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益在評估基準日
2019 年 9 月 30 日的市場價值進行了評估?,F將資產評估情況報告如下:



     一、委托人、被評估單位和其他評估報告使用者

     本次資產評估的委托人為上海硅產業集團股份有限公司,被評估單位
為上海新昇半導體科技有限公司。
     (一)委托人概況
     公司名稱:上海硅產業集團股份有限公司(以下簡稱“上海硅產業”)
     注冊地址:上海市嘉定區興邦路 755 號 3 幢
     法定代表人:俞躍輝
     注冊資本:186019.1800 萬元人民幣
     公司類型:股份有限公司(上市)
     統一社會信用代碼:91310114MA1GT35K5B

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       成立日期:2015 年 12 月 09 日
       營業期限:2015 年 12 月 09 日至不約定期限
       經營范圍:硅產品和集成電路產品技術領域內的技術服務,硅產品和
集成電路研制、銷售,硅材料行業投資,集成電路行業投資,創業投資,
實業投資,資產管理,投資咨詢,投資管理,企業管理咨詢,商業咨詢。
【依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動】
       (二)被評估單位概況
       企業名稱:上海新昇半導體科技有限公司(以下簡稱“新昇半導體”)
       統一社會信用代碼:91310115301484416G
       住 所:浦東新區泥城鎮新城路2號24幢C1350室
       注冊資本:78000.0000萬人民幣
       法定代表人:李煒
       經濟性質:其他有限責任公司
       經營范圍:高品質半導體硅片研發、生產和銷售,從事貨物及技術的
進出口業務。
       【依法須經批準的項目,經相關部門批準后方可開展經營活動】
       經營期限:2014年06月04日至2044年06月03日
       1.公司歷史沿革及股東結構
       (1)初始成立

       上海新昇半導體科技有限公司成立于 2014 年 06 月 04 日,注冊資本
為人民幣 50,000.00 萬元,由上海新陽半導體材料股份有限公司、深圳市
興森快捷電路科技股份有限公司、上海新傲科技股份有限公司與上海皓芯
投資管理有限公司共同出資設立。股東結構和股權比例如下:

 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   1            上海新陽半導體材料股份有限公司           19,000.00         38.00
   2          深圳市興森快捷電路科技股份有限公司         16,000.00         32.00


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 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   3               上海新傲科技股份有限公司               5,000.00         10.00
   4               上海皓芯投資管理有限公司              10,000.00         20.00
                            合   計                      50,000.00         100.00

       (2)第一次股權轉讓并增資
       2016年5月,根據《股東轉讓協議》,股東上海新傲科技股份有限公司
將所持有新昇半導體的全部所有者權益轉讓給上海硅產業集團股份有限
公司,同時上海硅產業集團股份有限公司增資 28,000 萬元,變更后的公
司注冊資本為78,000 萬元,股東結構和股權比例如下:
 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   1            上海新陽半導體材料股份有限公司           19,000.00         24.36
   2          深圳市興森快捷電路科技股份有限公司         16,000.00         20.51
   3              上海硅產業集團股份有限公司             33,000.00         42.31
   4               上海皓芯投資管理有限公司              10,000.00         12.82
                            合   計                      78,000.00         100.00

       (3)第二次股權轉讓
       2016 年 11 月,根據《股東轉讓協議》,深圳市興森快捷電路科技股
份有限公司將所持有新昇半導體的全部所有者權益轉讓給上海硅產業集
團股份有限公司。變更后股東結構和股權比例如下:
 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   1            上海新陽半導體材料股份有限公司           19,000.00         24.36
   2              上海硅產業集團股份有限公司             49,000.00         62.82
   3               上海皓芯投資管理有限公司              10,000.00         12.82
                            合   計                      78,000.00         100.00

       (4)第三次股權轉讓
       2017年10月,根據《股東轉讓協議》,上海皓芯投資管理有限公司將
所持有的3.205%所有者權益轉讓給上海新陽半導體材料股份有限公司。變
更后股東結構和股權比例如下:
 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   1            上海新陽半導體材料股份有限公司           21,500.00         27.56


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                             上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   2              上海硅產業集團股份有限公司             49,000.00         62.82
   3               上海皓芯投資管理有限公司               7,500.00          9.62
                            合   計                      78,000.00         100.00

       (5)第四次股權轉讓
       2018年4月,根據《股東轉讓協議》,上海皓芯投資管理有限公司將所
持有的剩余全部9.615%所有者權益轉讓給上海硅產業集團股份有限公司。
變更后股東結構和股權比例如下:
 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   1            上海新陽半導體材料股份有限公司           21,500.00         27.56
   2              上海硅產業集團股份有限公司             56,500.00         72.44
                            合   計                      78,000.00         100.00

       (6)第五次股權轉讓
       2019年3月29日,上海新陽半導體材料股份有限公司將所持有的部分上
 海新昇股權轉讓給上海硅產業集團股份有限公司。變更后股東結構和股權
 比例如下:
 序號                      股東名稱                     出資額(萬元)     出資比例%
   1            上海新陽半導體材料股份有限公司            1,170.00          1.5
   2              上海硅產業集團股份有限公司             76,830.00          98.5
                            合   計                      78,000.00         100.00

       本次變更完成后,截止評估基準日,公司之股權結構未發生變化。

       2.主營業務情況
       上海新昇半導體科技有限公司始建于2014年6月,坐落于臨港重裝備
區內,占地150畝,總投資68億元,一期總投資23億元。新昇半導體第一期
目標致力于在我國研究、開發適用于40-28nm節點的300mm硅單晶生長、硅
片加工、外延片制備、硅片分析檢測等硅片產業化成套量產工藝;建設300
毫米半導體硅片的生產基地,實現300毫米半導體硅片的國產化,充分滿足
我國極大規模集成電路產業對硅襯底基礎材料的迫切要求。新昇半導體一
期投入后,預計月產能為15萬片12英寸硅片,最終將形成300mm硅片60萬片

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                                 上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
/月的產能,年產值達到60億元。新昇半導體將與世界一流技術接軌,達到
世界先進水平。
        3.公司資產、負債及財務狀況
        截止 2019 年 9 月 30 日,新昇半導體賬面資產總額為 234,579.62 萬
元,負債總額為 167,539.32 萬元,凈資產為 67,040.30 萬元。公司前二年
及基準日資產、負債、財務狀況如下表:

                                                                              單位:萬元

          項   目          2017 年 12 月 31 日    2018 年 12 月 31 日    2019 年 9 月 30 日
 總資產                             157,842.92             280,553.96              234,579.62
 負債                                91,101.58             204,483.01              167,539.32
 凈資產                              66,741.34              76,070.95               67,040.30
          項   目              2017 年度              2018 年度           2019 年 1-9 月
 營業收入                              2,470.17             21,510.84               13,825.89
 營業利潤                            -2,009.14                 -675.15              -9,482.41
 凈利潤                              -2,106.01                 -670.39              -9,495.76
    注:上表數據來源于經普華永道審計的上海硅產業集團股份有限公司合并報表范圍內(普華永
道中天審字(2019)第 11056 號)

         (三)委托人與被評估單位之間的關系
        委托人上海硅產業集團股份有限公司為被評估單位上海新昇半導體
科技有限公司股東,也是本次經濟行為涉及的股權受讓方。
        (四)委托人、資產評估委托合同約定的其他評估報告使用者
        本評估報告的使用者為委托人和相關監管機構。
        除國家法律法規另有規定外,任何未經評估機構和委托人確認的機構
或個人不能由于得到評估報告而成為評估報告使用者。



        二、評估目的

        根據上海新昇《臨時董事會決議》(2020 臨董 002 號),上海硅產業
集團股份有限公司擬收購上海新昇半導體科技有限公司股權,為此需對上
中聯資產評估集團有限公司                                                           第9頁
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                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
海新昇半導體科技有限公司于基準日的股東全部權益價值進行評估。
     本次評估的目的是反映所涉及的上海新昇半導體科技有限公司的股
東全部權益在評估基準日的市場價值,為上述經濟行為提供價值參考依據。

     三、評估對象和評估范圍

     (一)評估對象
     評估對象是上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益。
     (二)評估范圍
     評估范圍為上海新昇半導體科技有限公司于評估基準日的全部資產
及相關負債,賬面資產總額為 234,579.62 萬元,負債總額為 167,539.32
萬元,凈資產為 67,040.30 萬元。具體包括流動資產 40,543.06 萬元;非
流動資產 194,036.56 萬元;流動負債 42,887.94 萬元;非流動負債
124,651.38 萬元。
     上述資產與負債數據包括在經普華永道審計的上海硅產業集團股份
有限公司合并報表范圍內(普華永道中天審字(2019)第 11056 號),評估
是在企業經過審計后的基礎上進行的。
     委托評估對象和評估范圍與經濟行為涉及的評估對象和評估范圍一
致。
     (三)委估主要資產情況
     本次評估范圍中的主要資產為流動資產、固定資產、在建工程、無形
資產及其他非流動資產等。
     1.流動資產
     流動資產主要由貨幣資金、應收賬款、預付款項、其他應收款、存貨
及其他流動資產等組成。
     2.固定資產
     (1)房屋建筑物

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                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
     房屋建筑物位于上海市浦東新區云水路 1000 號內,共 19 幢建筑物、
包括拉晶廠房、動力站、切磨拋廠房、生產廠房 A、中試樓、增壓泵房及門
衛等,產證號為滬(2019)浦字不動產權第 117292 號。另有 9 項構筑物。
上述建(構)筑主要為企業自用。
     (2)設備類資產
   固定資產主要是設備類資產,按用途分為機器設備、車輛和電子設備。
其中機器設備總計 430 臺(套),主要有多層外延反應爐、微粒檢測機、大
投量拉晶機 、雙面拋光機、雙面研磨機、線切割機等;車輛共 3 輛,為轎
車及大客車;電子設備共計 521 臺(套),主要有電腦、空調、打印機、復
印機、服務器、交換機等。上述設備目前正常使用中。
     3.在建工程
     在建工程為設備安裝工程,明細表共 99 項,主要設備有雙面拋光機、
拋光后檢驗機、退火前清洗機、大投量拉晶機、二期超純水處理系統工程
(設備)、超導磁場、雙面研磨機、高效外延反應爐、邊緣檢測機等。
     4.無形資產
     (1)無形資產-土地使用股權
     土地使用權由“滬房地浦字(2016)第 279070 號”上海市房地產權證》
確權,房地產權利人為上海新昇半導體科技有限公司,權屬性質為國有建
設用地使用權,使用權取得方式為出讓,用途為工業用地,宗地號為泥城
鎮 23 街坊 46/14 丘,宗地(丘)面積為 100,067.00 平方米,使用期限為
2015 年 6 月 12 日至 2065 年 6 月 11 日止。
     (2)無形資產-其他無形資產
     無形資產-其他無形資產為企業外購的軟件,共 62 項。
     5.其他非流動資產
     其他非流動資產共 34 項,主要內容為預付設備款及工程款。
     (四)企業申報的賬面記錄或者未記錄的無形資產情況
中聯資產評估集團有限公司                                                  第11頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
            1.賬面記錄的無形資產
            截止評估基準日,被評估企業申報的評估范圍內賬面記錄的無形資產
       為土地使用權1幅和外購各類辦公軟件62項。其中:土地使用權由“滬房地
       浦字(2016)第279070號”《上海市房地產權證》確權,房地產權利人為上
       海新昇半導體科技有限公司,權屬性質為國有建設用地使用權,使用權取
       得方式為出讓,用途為工業用地,宗地號為泥城鎮23街坊46/14丘,宗地(丘)
       面積為100,067.00平方米,使用期限為2015年6月12日至2065年6月11日止。
            2.賬面未記錄的無形資產
            截止評估基準日,被評估企業申報的評估范圍內賬面未記錄的無形資
       產為專利及專利申請權共計 605 項,權利人為上海新昇半導體科技有限公
       司,具體如下:
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

        石英腔體的固定治具及清
 1                                201620490839.2   實用新型   2016/5/25    2026/5/24     授權       中國
        洗裝置
 2      一種氣體管路              201620691686.8   實用新型    2016/7/1    2026/6/30     授權       中國
 3      氣體處理裝置              201620692353.7   實用新型    2016/7/4    2026/7/3      授權       中國
 4      硅單晶棒回收裝置          201620480717.5   實用新型   2016/5/24    2026/5/23     授權       中國
 5      晶盒封裝裝置              201620480746.1   實用新型   2016/5/24    2026/5/23     授權       中國
 6      晶盒包裝裝置              201620486186     實用新型   2016/5/25    2026/5/24     授權       中國
 7      尾氣管路加熱裝置          201620623889.3   實用新型   2016/6/22    2026/6/21     授權       中國
 8      化學品供應裝置            201620560353.1   實用新型   2016/6/12    2026/6/11     授權       中國
 9      一種晶棒固定裝置          201621296061.8   實用新型   2016/11/29   2026/11/28    授權       中國
        制作用于測量硅片表面的
10                                201720678057.6   實用新型   2017/6/12    2027/6/11     授權       中國
        金屬量的樣品的蝕刻臺
11      一種硅片清洗槽            201720878845.X   實用新型   2017/7/19    2027/7/18     授權       中國
        一種用于多線切割機的收
12                                201720808208.5   實用新型    2017/7/5    2027/7/4      授權       中國
        線軸以及多線切割機
        硅單晶棒回收裝置及方
13                                201510661933.X     發明     2015/10/14   2035/10/13    授權       中國
        法、液氮供應裝置
14      半導體結構及其形成方法    201510658749.X     發明     2015/10/13   2035/10/12    授權       中國
15      半導體結構及其形成方法    201510659197.4     發明     2015/10/13   2035/10/12    授權       中國
        場效應晶體管及其制備方
16                                201510667042.5     發明     2015/10/15   2035/10/14    授權       中國
        法
        單晶硅錠及晶圓的形成方
17                                201510672144.6     發明     2015/10/15   2035/10/14    授權       中國
        法


       中聯資產評估集團有限公司                                                          第12頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號             專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

        互補場效應晶體管及其制
18                                201510671009.X     發明     2015/10/15   2035/10/14    授權       中國
        備方法
19      反應爐                    201721034930.4   實用新型   2017/8/17    2027/8/16     授權       中國
20      硅片研磨和清洗裝置        201721880326.3   實用新型   2017/12/28   2027/12/27    授權       中國
21      集電裝置及半導體設備      201721149829.3   實用新型    2017/9/8    2027/9/7      授權       中國
        一種用于晶棒外徑研磨的
22                                201820150775.0   實用新型   2018/1/29    2028/1/28     授權       中國
        夾具及研磨裝置
23      一種拉晶爐                201821161235.9   實用新型   2018/7/20    2028/7/19     授權       中國
        一種應用于單晶爐的冷卻
24                                201821169882.4   實用新型   2018/7/20    2028/7/19     授權       中國
        裝置及單晶爐
25      SOI 襯底及其制備方法      201510683914.7     發明     2015/10/20   2035/10/19    授權       中國
        絕緣體上 III-V 化合物襯
26                                201510703722.8     發明     2015/10/26   2035/10/25    授權       中國
        底的制備方法
        高壓無結場效應器件及其
27                                201510749582.8     發明     2015/11/6    2035/11/5     授權       中國
        形成方法
        具有漂移區的高壓無結場
28                                201510765530.X     發明     2015/11/11   2035/11/10    授權       中國
        效應器件及其形成方法
        監測基座溫度均勻性的方
29                                201510900577.2     發明     2015/12/8    2035/12/7     授權       中國
        法
        監測基座溫度均勻性的方
30                                201510901208.5     發明     2015/12/8    2035/12/7     授權       中國
        法
        真空管閃存結構之制造方
31                                201610120869.9     發明      2016/3/3    2036/3/2      授權       中國
        法
        真空納米管場效應晶體管
32                                201610307379.X     發明     2016/5/10    2036/5/9      授權       中國
        及其制造方法
        真空納米管場效應晶體管
33                                201610307101.2     發明     2016/5/10    2036/5/9      授權       中國
        及其制造方法
        基于二維電子氣的低功耗
34                                201610352710.X     發明     2016/5/14    2036/5/13     授權       中國
        氫氣傳感器及其制造方法
        一種晶圓片架的取放片裝
35                                201610588892.0     發明     2016/7/25    2036/7/24     授權       中國
        置
        一種 OLED 結構及其制作
36                                201611256318.1     發明     2016/12/30   2036/12/29    授權       中國
        方法
37      一種真空吸筆              201821768321.6   實用新型   2018/10/29   2028/10/28    授權       中國
38      -                         201920230383.X   實用新型   2019/2/21    2029/2/20     授權       中國
39      晶盒包裝裝置              201620486186.0   實用新型   2016/5/25    2026/5/24     授權       中國
40      垂直晶體管及其制備方法    201510703700.1     發明     2015/10/26                 在受理     中國
        高壓無結場效應器件及其
41                                201510746889.2     發明     2015/11/6                  在受理     中國
        形成方法
        雙溝道 FinFET 器件及其
42                                201510844310.6     發明     2015/11/26                 在受理     中國
        制造方法
        具有漂移區和漸變溝道的
43      高壓無結場效應器件及其    201510924724.X     發明     2015/12/11                 在受理     中國
        形成方法
        單晶硅錠及晶圓的形成方
44                                201510939120.2     發明     2015/12/15                 在受理     中國
        法



       中聯資產評估集團有限公司                                                          第13頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

          互補納米線半導體器件
45                                201510943725.9    發明      2015/12/15                在受理     中國
        及其制造方法
        全密封真空納米管場效應
46                                201510981410.3    發明      2015/12/23                在受理     中國
        晶體管及其制造方法
        垂直真空密封碳納米管場
47                                201510981315.3    發明      2015/12/23                在受理     中國
        效應晶體管及其制造方法
48      晶圓熱處理的方法          201610120844.9    發明       2016/3/3                 在受理     中國
49      晶圓熱處理的方法          201610120562.9    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        絕緣層上頂層硅襯底及其
50                                201610120843.4    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        制造方法
        單晶硅的生長方法及其制
51                                201610120879.2    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        備的單晶硅錠
        互補納米線半導體器件及
52                                201610120564.8    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        其制備方法
        絕緣層上頂層硅襯底及其
53                                201610120565.2    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        制造方法
        鰭狀場效應晶體管及其制
54                                201610120577.5    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        備方法
        絕緣層上頂層硅襯底及其
55                                201610120580.7    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        制造方法
        鰭狀場效應晶體管及其制
56                                201610120862.7    發明       2016/3/3                 在受理     中國
        備方法
57      半導體結構及其形成方法    201610319775.4    發明      2016/5/13                 在受理     中國
58      微電子結構及其形成方法    201610293503.1    發明       2016/5/5                 在受理     中國
        液晶顯示器面板及其像素
59                                201610173628.0    發明      2016/3/24                 在受理     中國
        單元的制備方法
        液晶顯示器面板及其像素
60                                201610318473.5    發明      2016/5/13                 在受理     中國
        單元的制備方法
        真空管閃存結構及其制造
61                                201610173638.4    發明      2016/3/24                 在受理     中國
        方法
        提高硅晶片外延層表面平
62                                201610278896.9    發明      2016/4/28                 在受理     中國
        整度的方法
63      微電子結構及其形成方法    201610293052.1    發明       2016/5/5                 在受理     中國
        雙柵極石墨烯場效應晶體
64                                201610173661.3    發明      2016/3/24                 在受理     中國
        管及其制造方法
        制造石墨烯場效晶體管的
65                                201610356807.8    發明      2016/5/26                 在受理     中國
        方法
        降低預抽腔體中芯片溫度
66                                201610218470.4    發明       2016/4/8                 在受理     中國
        的方法及芯片降溫裝置
        減少外延襯底缺陷的形成
67                                201610205601.5    發明       2016/4/1                 在受理     中國
        方法
        減少外延襯底缺陷的形成
68                                201610293626.5    發明       2016/5/5                 在受理     中國
        方法
        伯努利基座裝置及沉積設
69                                201610236823.3    發明      2016/4/15                 在受理     中國
        備
        伯努利基座裝置及沉積設
70                                201610237813.1    發明      2016/4/15                 在受理     中國
        備
        伯努利基座裝置及沉積設
71                                201610237765.6    發明      2016/4/15                 在受理     中國
        備

       中聯資產評估集團有限公司                                                         第14頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號               專利名稱        專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

        表面聲波器件及其制造方
72                                201610236703.3    發明      2016/4/15                 在受理     中國
        法、溫度檢測設備
73      晶圓金屬污染的評估方法    201610237873.3    發明      2016/4/15                 在受理     中國
74      晶圓控片及其制造方法      201610278144.2    發明      2016/4/28                 在受理     中國
        基板的抓取裝置及其抓取
75                                201610482087.X    發明      2016/6/27                 在受理     中國
        方法
76      石英腔體的清洗方法        201610356764.3    發明      2016/5/25                 在受理     中國
77      晶盒清洗設備              201610596315.6    發明      2016/7/27                 在受理     中國
78      一種外延生長方法          201610463905.1    發明      2016/6/26                 在受理     中國
79      外延生長設備              201610353583.5    發明      2016/5/25                 在受理     中國
80      外延設備腔室蓋板          201610278900.1    發明      2016/4/28                 在受理     中國
81      外延設備                  201610278856.4    發明      2016/4/28                 在受理     中國
        石英腔體的清洗裝置及清
82                                201610356861.2    發明      2016/5/25                 在受理     中國
        洗方法
        一種機械手臂及基板的抓
83                                201610443457.9    發明      2016/6/20                 在受理     中國
        取方法
        機械手臂的監控系統及監
84                                201610428174.7    發明      2016/6/16                 在受理     中國
        控方法
85      低溫外延方法及設備        201610327612.0    發明      2016/5/17                 在受理     中國
86      熔體設備的保護裝置        201610328847.1    發明      2016/5/17                 在受理     中國
87      一種晶圓的雙面拋光方法    201610332985.7    發明      2016/5/18                 在受理     中國
        環柵 III-V 量子阱晶體管
88      及鍺無結晶體管及其制造    201610352706.3    發明      2016/5/24                 在受理     中國
        方
89      一種晶圓定位裝置及方法    201610326082.8    發明      2016/5/17                 在受理     中國
        一種吸附材料、吸附裝置
90                                201610349293.3    發明      2016/5/24                 在受理     中國
        及制備方法
        基于表面聲波的濕度傳感
91                                201610352725.6    發明      2016/5/24                 在受理     中國
        器及其制造方法
        一種晶圓支持板組件、拋
92                                201610473618.9    發明      2016/6/24                 在受理     中國
        光裝置及晶圓精拋光方法
        一種線切割砂漿供應系統
93                                201610472257.6    發明      2016/6/24                 在受理     中國
        及方法
        一種拋光液供應系統及方
94                                201610451540.0    發明      2016/6/21                 在受理     中國
        法
95      一種單晶硅生長爐          201610423045.9    發明      2016/6/15                 在受理     中國
96      一種低溫外延方法及裝置    201610435872.X    發明      2016/6/17                 在受理     中國
97      一種溶劑混合器            201610395471.6    發明      2016/6/6                  在受理     中國
        一種基于納米線的高電子
98      遷移率晶體管及其制作方    201610473359.X    發明      2016/6/24                 在受理     中國
        法
        一種形成氧化層和外延層
99                                201610537121.9    發明      2016/7/8                  在受理     中國
        的方法



       中聯資產評估集團有限公司                                                         第15頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

        項目任務分配方法、裝
100     置、計算機設備和項目管    201610541476.5    發明      2016/7/11                 在受理     中國
        理系統
        一種半導體晶片濕法清洗
101                               201610485915.5    發明      2016/6/28                 在受理     中國
        設備
102     直拉生長單晶硅的方法      201610544093.3    發明      2016/7/12                 在受理     中國
        在石英坩堝中制備硅熔融
103                               201610543465.0    發明      2016/7/12                 在受理     中國
        體的方法
        一種存儲器結構及其制備
104                               201610589314.9    發明      2016/7/25                 在受理     中國
        方法
105     一種晶圓減薄方法及裝置    201610638222.5    發明       2016/8/5                 在受理     中國
        一種晶圓減薄方法及減薄
106                               201610637636.6    發明       2016/8/5                 在受理     中國
        的晶圓結構
        一種刻蝕方法、刻蝕裝置
107                               201610778065.8    發明      2016/8/30                 在受理     中國
        及半導體晶圓分割方法
        一種外延設備、設備制作
108                               201610664963.0    發明      2016/8/12                 在受理     中國
        方法及外延方法
109     一種拉晶爐的拉晶機構      201610814793.X    發明       2016/9/9                 在受理     中國
        一種半導體晶盒清洗干燥
110                               201610850773.8    發明      2016/9/26                 在受理     中國
        儲存一體化方法及設備
        一種半導體晶圓的拋光方
111                               201610898646.5    發明      2016/10/14                在受理     中國
        法
112     半導體晶圓的拋光方法      201610899466.9    發明      2016/10/14                在受理     中國
        一種納米線存儲器結構及
113                               201610679692.6    發明      2016/8/17                 在受理     中國
        其制備方法
        一種納米管存儲器結構及
114                               201610681644.0    發明      2016/8/17                 在受理     中國
        其制備方法
        一種減少自摻雜的底座及
115                               201610664993.1    發明      2016/8/12                 在受理     中國
        外延設備
        一種基于伯努利效應的底
116                               201610670487.3    發明      2016/8/15                 在受理     中國
        座及外延設備
        一種溫度傳感器及測溫方
117                               201610815681.6    發明       2016/9/8                 在受理     中國
        法
        一種基于負電容的環柵場
118                               201610833429.8    發明      2016/9/20                 在受理     中國
        效應晶體管及其制作方法
        熱屏組件及單晶提拉爐熱
119                               201610728299.1    發明      2016/8/25                 在受理     中國
        場結構
        異型加熱器及單晶提拉爐
120                               201610725182.8    發明      2016/8/25                 在受理     中國
        熱場結構
        一種化學機械拋光液及其
121                               201611084494.1    發明      2016/11/30                在受理     中國
        制備方法
        微波退火制備 3D NAND
122                               201610842148.9    發明      2016/9/22                 在受理     中國
        的方法
        晶圓鍵合方法及其鍵合裝
123                               201610908069.3    發明      2016/10/18                在受理     中國
        置
        顯示屏的保護層及其形成
124     方法以及顯示屏及其形成    201610844205.7    發明      2016/9/22                 在受理     中國
        方法
125     一種拉晶爐                201610874607.1    發明      2016/9/30                 在受理     中國

       中聯資產評估集團有限公司                                                         第16頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號               專利名稱        專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

126     一種單晶爐                201610818921.8    發明      2016/9/12                 在受理     中國
127     籽晶夾頭及直拉單晶爐      201610805126.5    發明       2016/9/6                 在受理     中國
128     校準晶片及其制造方法      201610876793.2    發明      2016/9/30                 在受理     中國
        摻雜氣體緩沖裝置、摻雜
129                               201610825552.5    發明      2016/9/14                 在受理     中國
        氣體供給裝置及方法
        互補 CMOS 管的制造方
130                               201610916657.1    發明      2016/10/20                在受理     中國
        法
        一種多晶硅二次加料裝置
131                               201610825530.9    發明      2016/9/14                 在受理     中國
        及方法
        一種磁控去除硅化物顆粒
132                               201611091074.6    發明      2016/12/1                 在受理     中國
        的尾氣處理裝置
        一種互補晶體管器件結構
133                               201610986588.1    發明      2016/11/9                 在受理     中國
        及其制作方法
        一種半導體晶片濕法清洗
134                               201610971358.8    發明      2016/11/3                 在受理     中國
        設備
        改善晶圓表面切割形貌的
135                               201611139742.8    發明      2016/12/12                在受理     中國
        線切割系統
        浮區法生長晶體的設備及
136                               201611022589.0    發明      2016/11/17                在受理     中國
        方法
        坩堝、坩堝的制備方法及
137                               201611024115.X    發明      2016/11/17                在受理     中國
        4H-SiC 晶體的生長方法
        4H-SiC 晶體生長設備及
138                               201611022469.0    發明      2016/11/17                在受理     中國
        方法
        一種帶有溢流腔的尾氣處
139                               201611060006.3    發明      2016/11/24                在受理     中國
        理裝置
140     校準晶片及其制造方法      201610934480.8    發明      2016/10/25                在受理     中國
141     自動進料系統及進料方法    201610953027.1    發明      2016/11/3                 在受理     中國
        單晶生長爐熱屏及其制造
142                               201610959752.X    發明      2016/10/28                在受理     中國
        方法
143     基于 FTIR 的表征設備      201610987721.5    發明      2016/11/10                在受理     中國
144     4H-SiC 晶體生長方法       201611116598.6    發明      2016/12/7                 在受理     中國
        晶片放置裝置和晶片定向
145                               201710051656.X    發明      2017/1/19                 在受理     中國
        儀
146     晶圓表面平坦度測量系統    201611100690.3    發明      2016/12/5                 在受理     中國
147     測量方法                  201611113180.X    發明      2016/12/7                 在受理     中國
148     拋光設備及檢測方法        201710254306.3    發明      2017/4/18                 在受理     中國
        一種柵陣列無結半導體溝
149     道存儲器結構及其制備方    201611236887.X    發明      2016/12/28                在受理     中國
        法
        一種無結半導體溝道柵陣
150     列存儲器結構及其制備方    201611236881.2    發明      2016/12/28                在受理     中國
        法
        一種神經元晶體管結構及
151                               201611235603.5    發明      2016/12/28                在受理     中國
        其制備方法
        神經元晶體管結構及其制
152                               201611235618.1    發明      2016/12/28                在受理     中國
        備方法


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第17頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

        真空管場效應晶體管陣列
153                               201611204711.6    發明      2016/12/23                在受理     中國
        及其制造方法
        晶棒線切割裝置及晶棒線
154                               201611100725.3    發明      2016/12/5                 在受理     中國
        切割方法
        具有黑磷溝道層的低接觸
155     電阻率 FinFET 及其制備    201611100748.4    發明      2016/12/5                 在受理     中國
        方法
        一種硅片研磨裝置及其研
156                               201611264423.X    發明      2016/12/30                在受理     中國
        磨方法
157     硅片的制作方法            201710068794.9    發明       2017/2/8                 在受理     中國
        SiC 晶體切片移動設備及
158                               201611167941.X    發明      2016/12/16                在受理     中國
        移動方法
        SiC 晶體切片設備及切片
159                               201611154276.0    發明      2016/12/14                在受理     中國
        方法
        基于水平激光照射的晶圓
160                               201611261713.9    發明      2016/12/30                在受理     中國
        減薄設備及方法
        基于激光水射流的晶圓減
161                               201611261712.4    發明      2016/12/30                在受理     中國
        薄設備及方法
162     一種晶圓傳片結構          201611247974.5    發明      2016/12/29                在受理     中國
        一種碳納米管束場效應晶
163                               201710004518.6    發明       2017/1/4                 在受理     中國
        體管陣列及其制造方法
        一種后柵無結與非門閃存
164                               201710028176.1    發明      2017/1/13                 在受理     中國
        存儲器及其制作方法
165     籽晶夾頭及單晶提拉爐      201710056545.8    發明      2017/1/25                 在受理     中國
        豎直插入式阻擋腳及伯努
166                               201710062833.4    發明      2017/1/25                 在受理     中國
        利吸盤
        適用于單片式外延爐的分
167                               201710056500.0    發明      2017/1/25                 在受理     中國
        離式基座組件
168     宏觀劃痕長度測量裝置      201710062812.2    發明      2017/1/25                 在受理     中國
169     一種坩堝軸升降裝置        201710272634.6    發明      2017/4/24                 在受理     中國
        具有原子級平整表面的薄
170                               201710135017.1    發明       2017/3/8                 在受理     中國
        膜的制備方法
        自對準晶種層及自對準薄
171                               201710134405.8    發明       2017/3/8                 在受理     中國
        膜的制備方法
        一種光導開關及其制備方
172                               201710254689.4    發明      2017/4/18                 在受理     中國
        法
        一種多腔室外延爐及其氣
173                               201710272639.9    發明      2017/4/24                 在受理     中國
        壓調節方法
174     一種外延爐硅片基座        201710272642.0    發明      2017/4/24                 在受理     中國
        硅片夾、檢測裝置及其檢
175                               201710244785.0    發明      2017/4/14                 在受理     中國
        測方法
        一種多晶硅自動進料系統
176                               201710254683.7    發明      2017/4/18                 在受理     中國
        及其方法
177     一種直拉單晶硅方法        201710188098.1    發明      2017/3/27                 在受理     中國
178     晶圓表面平坦化方法        201710261391.6    發明      2017/4/20                 在受理     中國
179     晶圓表面平坦化方法        201710262317.6    發明      2017/4/20                 在受理     中國



       中聯資產評估集團有限公司                                                         第18頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號               專利名稱        專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

        一種減少晶片缺陷的設備
180                               201710193119.9    發明      2017/3/28                 在受理     中國
        及方法
181     一種晶片吸雜方法          201710193120.1    發明      2017/3/28                 在受理     中國
182     一種坩堝及制造方法        201710209422.3    發明      2017/3/31                 在受理     中國
        一種可用作擋片或控片的
183                               201710208599.1    發明      2017/3/31                 在受理     中國
        晶片制備方法及晶片
        一種半導體襯底的制作方
184                               201710208601.5    發明      2017/3/31                 在受理     中國
        法
        切割線材、切割機臺以及
185                               201710230087.5    發明      2017/4/10                 在受理     中國
        切割方法
186     一種調整裝置及清洗機      201710368879.9    發明      2017/5/23                 在受理     中國
187     硅片切割裝置              201710272188.9    發明      2017/4/24                 在受理     中國
188     等離子體發生裝置          201710272198.2    發明      2017/4/24                 在受理     中國
189     晶圓處理方法              201710254307.8    發明      2017/4/18                 在受理     中國
190     一種硅片的干燥方法        201710350286.X    發明      2017/5/18                 在受理     中國
191     圓表面處理裝置及方法      201710304837.9    發明      2017/5/3                  在受理     中國
        基于伯努利原理的邊緣研
192     磨基座、邊緣研磨系統及    201710262320.8    發明      2017/4/20                 在受理     中國
        方法
193     伯努利吸盤                201710262327.X    發明      2017/4/20                 在受理     中國
        氧化硅生長系統、方法及
194     半導體測試結構的制作方    201710312425.X    發明      2017/5/5                  在受理     中國
        法
195     一種單晶提拉爐熱場結構    201710356903.7    發明      2017/5/19                 在受理     中國
        一種帶有水冷套的熱屏組
196                               201710357457.1    發明      2017/5/20                 在受理     中國
        件及單晶提拉爐熱場結構
        晶棒的測試方法以及晶棒
197                               201710487582.4    發明      2017/6/23                 在受理     中國
        生長裝置
        冷卻裝置、單晶爐和晶棒
198                               201710424211.1    發明      2017/6/7                  在受理     中國
        的冷卻方法
199     晶圓頂針及其形成方法      201710525497.2    發明      2017/6/30                 在受理     中國
200     襯底及其制作方法          201710406672.6    發明      2017/6/2                  在受理     中國
201     石墨坩堝及其制造方法      201710412082.4    發明      2017/6/2                  在受理     中國
202     石墨坩堝及其制造方法      201710406654.8    發明      2017/6/2                  在受理     中國
203     目檢裝置                  201710317403.2    發明      2017/5/5                  在受理     中國
204     晶圓平坦度測量裝置及晶
                                  201710312102.0    發明      2017/5/5                  在受理     中國
        圓平坦度測量系統
205     一種硅單晶引晶結構及工
                                  201710343971.X    發明      2017/5/16                 在受理     中國
        藝
206     支撐臺、改善晶圓或外延
        生長晶圓表面的頂針痕跡    201710439022.1    發明      2017/6/12                 在受理     中國
        的方法
207     分離式卡盤裝置以及晶元
                                  201710582457.1    發明      2017/7/17                 在受理     中國
        的研磨工藝


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第19頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

208     研磨臺清洗裝置及其清洗
                                  201710586286.X    發明      2017/7/18                 在受理     中國
        方法
209     砂漿導液槽、砂漿供應裝
                                  201710370069.7    發明      2017/5/23                 在受理     中國
        置及晶圓切割系統
210     砂漿供應裝置              201710375312.4    發明      2017/5/24                 在受理     中國
211     一種半導體器件及其制造
                                  201710534165.0    發明       2017/7/3                 在受理     中國
        方法、電子裝置
212     一種半導體器件及其制造
                                  201710485112.4    發明      2017/6/23                 在受理     中國
        方法、電子裝置
213     襯托器、氣相生長裝置及
                                  201710620096.5    發明      2017/7/26                 在受理     中國
        氣相生長方法
214     氣相生長裝置及氣相生長
                                  201710620046.7    發明      2017/7/26                 在受理     中國
        方法
215     一種背面密封晶片的方法    201710537508.9    發明       2017/7/4                 在受理     中國
216     一種背面密封晶片的方法    201710537506.X    發明       2017/7/4                 在受理     中國
217     背面密封晶片的方法        201710538436.X    發明       2017/7/4                 在受理     中國
218     晶片背面密封的方法        201710541857.8    發明       2017/7/4                 在受理     中國
219     襯底支撐裝置以及外延生
                                  201710713577.0    發明      2017/8/18                 在受理     中國
        長設備
220     一種半導體晶圓最終拋光
                                  201710641819.X    發明      2017/7/31                 在受理     中國
        后的清洗方法
221     一種半導體晶圓的最終拋
        光機以及最終拋光及清洗    201710639489.0    發明      2017/7/31                 在受理     中國
        方法
222     一種半導體晶圓的清洗方
                                  201710639479.7    發明      2017/7/31                 在受理     中國
        法
223     一種用于晶圓的目視檢測
                                  201710600948.4    發明      2017/7/21                 在受理     中國
        機及檢測方法
224     一種 GaN 器件及其制造
                                  201710587413.8    發明      2017/7/18                 在受理     中國
        方法、電子裝置
225     一種半導體器件及其制造
                                  201710587405.3    發明      2017/7/18                 在受理     中國
        方法、電子裝置
226     改善外延硅片表面平坦度
                                  201710868142.3    發明      2017/9/22                 在受理     中國
        的方法
227     一種 SiC 外延表面的預處
                                  201710841324.1    發明      2017/9/18                 在受理     中國
        理及外延生長方法
228     一種 SiC 外延層的制備方
                                  201710911736.8    發明      2017/9/29                 在受理     中國
        法及裝置
229     一種調控摻雜濃度的 SiC
                                  201711024669.4    發明      2017/10/27                在受理     中國
        生長方法及裝置
230     一種晶圓尋邊裝置          201710802096.7    發明       2017/9/7                 在受理     中國
231     一種拋光盤基座、拋光
        盤、拋光機以及最終拋光    201710829117.4    發明      2017/9/14                 在受理     中國
        方法
232     一種晶圓及其制造方法、
                                  201710780544.8    發明       2017/9/1                 在受理     中國
        電子裝置
233     一種晶圓載具及用于操作
                                  201710867571.9    發明      2017/9/22                 在受理     中國
        所述晶圓載具的機械手


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第20頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

234     一種硅片的處理方法        201711271080.4    發明      2017/12/5                 在受理     中國
235     一種晶圓承載裝置          201710823944.2    發明      2017/9/13                 在受理     中國
236     一種硅片少子壽命的測試
                                  201710833597.1    發明      2017/9/15                 在受理     中國
        方法及測試裝置
237     一種硅片少子壽命的測試
                                  201710859782.8    發明      2017/9/21                 在受理     中國
        裝置
238     一種晶棒的切割方法及切
                                  201710792762.3    發明       2017/9/5                 在受理     中國
        割裝置
239     一種用于預清洗機的水道
        裝置、預清洗機以及預清    201710839318.2    發明      2017/9/15                 在受理     中國
        洗方法
240     拋光設備及方法            201711047198.9    發明      2017/10/31                在受理     中國
241     一種拋光設備              201711049908.1    發明      2017/10/31                在受理     中國
242     晶圓清洗方法及清洗裝置    201711173925.6    發明      2017/11/22                在受理     中國
243     一種硅片批量清洗干燥方
                                  201711173913.3    發明      2017/11/22                在受理     中國
        法及裝置
244     快速熱處理裝置及方法      201711237366.0    發明      2017/11/30                在受理     中國
245     一種晶片及其制造方法、
                                  201711192027.5    發明      2017/11/24                在受理     中國
        電子裝置
246     一種長晶爐及長晶爐的水
                                  201711160854.6    發明      2017/11/20                在受理     中國
        冷套
247     一種用于長晶的坩堝裝置    201711160851.2    發明      2017/11/20                在受理     中國
248     一種拉晶系統和拉晶方法    201711176669.6    發明      2017/11/22                在受理     中國
249     一種拉晶系統和拉晶方法    201711174291.6    發明      2017/11/22                在受理     中國
250     熱屏及單晶硅生長爐結構    201711368190.2    發明      2017/12/18                在受理     中國
251     熱屏及單晶硅生長爐結構    201711368216.3    發明      2017/12/18                在受理     中國
252     熱屏及單晶硅生長爐結構    201711365658.2    發明      2017/12/18                在受理     中國
253     一種硅片測試臺            201810247686.2    發明      2018/3/23                 在受理     中國
254     一種晶圓夾持機械手臂及
                                  201810338638.4    發明      2018/4/16                 在受理     中國
        其清洗晶圓的方法
255     一種用于晶體直徑測量的
                                  201810084837.7    發明      2018/1/29                 在受理     中國
        自動校準方法及校準系統
256     一種拉晶系統              201810059354.1    發明      2018/1/22                 在受理     中國
257     一種改善外延片污染印記
                                  201810061254.2    發明      2018/1/22                 在受理     中國
        的方法
258     一種半導體薄膜平坦度改
                                  201810058937.2    發明      2018/1/22                 在受理     中國
        善的方法
259     外延爐冷卻系統及冷卻方
                                  201810747275.X    發明       2018/7/9                 在受理     中國
        法
260     一種應用于單晶爐的冷卻
                                  201810804122.4    發明      2018/7/20                 在受理     中國
        裝置及單晶爐
261     一種拉晶爐                201810806334.6    發明      2018/7/20                 在受理     中國
262     硅片的返工系統及方法      201810821335.8    發明      2018/7/24                 在受理     中國



       中聯資產評估集團有限公司                                                         第21頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

263     外延片的制備方法          201810835104.2    發明      2018/7/26                 在受理     中國
264     研磨平臺及研磨設備        201810836382.X    發明      2018/7/26                 在受理     中國
265     基于模擬方式獲得外延度
                                  201810837465.0    發明      2018/7/26                 在受理     中國
        的方法
266     外延基座及外延設備        201810903652.4    發明       2018/8/9                 在受理     中國
267     長晶爐校驗系統和長晶爐
                                  201810997982.4    發明      2018/8/29                 在受理     中國
        校驗方法
268     外延燈管輔助檢測裝置及
                                  201811169153.3    發明      2018/10/8                 在受理     中國
        其檢測方法
269     一種校準外延腔溫度的方
                                  201811253222.9    發明      2018/10/25                在受理     中國
        法
270     一種單晶硅晶棒的長晶方
                                  201811267643.7    發明      2018/10/29                在受理     中國
        法
271     一種單晶硅晶棒的長晶方
                                  201811267664.9    發明      2018/10/29                在受理     中國
        法
272     一種晶體生長控制方法、
        裝置、系統及計算機存儲    201811272388.5    發明      2018/10/29                在受理     中國
        介質
273     一種晶體生長控制方法、
        裝置、系統及計算機存儲    201811272682.6    發明      2018/10/29                在受理     中國
        介質
274     一種直拉法引晶方法        201811308065.7    發明      2018/11/5                 在受理     中國
275     一種晶體生長控制方法、
        裝置、系統及計算機存儲    201811330586.2    發明      2018/11/8                 在受理     中國
        介質
276     一種單晶生長爐的反射屏
                                  201811340095.6    發明      2018/11/12                在受理     中國
        及單晶生長爐
277     一種晶體生長爐的導流筒
                                  201811472539.1    發明      2018/12/4                 在受理     中國
        和晶體生長爐
278     一種晶棒切片方法          201811477262.1    發明      2018/12/5                 在受理     中國
279     一種晶棒切片裝置          201811477274.4    發明      2018/12/5                 在受理     中國
280     一種晶棒切片裝置          201811477279.7    發明      2018/12/5                 在受理     中國
281     一種晶棒切片裝置和方法    201811477291.8    發明      2018/12/5                 在受理     中國
282     一種晶棒切片裝置          201811477368.1    發明      2018/12/5                 在受理     中國
283     晶圓盒放置架及晶圓存儲
                                  201811518717.X    發明      2018/12/12                在受理     中國
        柜
284     晶圓盒檢測系統及晶圓出
                                  201811518729.2    發明      2018/12/12                在受理     中國
        貨管理方法
285     一種晶圓測試裝置和方法    201811520405.2    發明      2018/12/12                在受理     中國
286     一種晶圓夾持機械手臂組
                                  201811521689.7    發明      2018/12/13                在受理     中國
        件
287     晶圓基座安裝工具          201811525648.5    發明      2018/12/13                在受理     中國
288     分體式導流筒              201811525881.3    發明      2018/12/13                在受理     中國
289     加熱式導流筒              201811527817.9    發明      2018/12/13                在受理     中國



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                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號               專利名稱        專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

290     一種樹脂墊板及半導體晶
                                  201821631102.3   實用新型   2018/10/8                 在受理     中國
        體切割機
291     -                         201910182532.4     發明     2019/3/12                 在受理     中國
292     -                         201910182531.X     發明     2019/3/12                 在受理     中國
293     -                         201920066642.X   實用新型   2019/1/15                 在受理     中國
294     -                         201910156340.6     發明     2019/3/1                  在受理     中國
295     -                         201910181965.8     發明     2019/3/11                 在受理     中國
296     -                         201910151553.X     發明     2019/2/28                 在受理     中國
297     -                         201910181545.X     發明     2019/3/11                 在受理     中國
298     -                         201910104706.5     發明     2019/2/1                  在受理     中國
299     晶棒結構                  201920776775.6   實用新型   2019/5/27                 在受理     中國
300     固定連接部、研磨頭組件
                                  201910347208.3     發明     2019/4/28                 在受理     中國
        及拋光設備
301     一種晶體生長裝置          201920645452.3   實用新型   2019/4/30                 在受理     中國
302     提高晶圓拋光平坦度的方
                                  201910402705.9     發明     2019/5/15                 在受理     中國
        法及硅片加工方法
303     -                         201910329242.8     發明     2019/4/23                 在受理     中國
304     -                         201910363973.4     發明     2019/4/30                 在受理     中國
305     -                         201910362435.3     發明     2019/4/30                 在受理     中國
306     -                         201910402699.7     發明     2019/5/15                 在受理     中國
307     -                         201910357352.5     發明     2019/4/29                 在受理     中國
308     -                         201910734324.0     發明     2019/8/9                  在受理     中國
309     -                         201910488829.3     發明     2019/6/6                  在受理     中國
310     -                         201910913689.X     發明     2019/9/25                 在受理     中國
311     -                         201910527023.0     發明     2019/6/18                 在受理     中國
312     -                         201910527727.8     發明     2019/6/18                 在受理     中國
313     -                         201910527014.1     發明     2019/6/18                 在受理     中國
314     -                         201910527728.2     發明     2019/6/18                 在受理     中國
315     -                         201910860775.9     發明     2019/9/11                 在受理     中國
316     集塵罐、單晶生長設備及
                                  201910671773.5     發明     2019/7/24                 在受理     中國
        單晶生長方法
317     一種用于晶體生長的坩堝
                                  201910841934.0     發明     2019/9/6                  在受理     中國
        底座裝置
318     清洗槽及修整器清洗系統    201921171920.4   實用新型   2019/7/24                 在受理     中國
319     一種硅單晶的生長方法      201910899811.2     發明     2019/9/23                 在受理     中國
320     一種晶體生長裝置          201910860777.8     發明     2019/9/11                 在受理     中國
321     一種晶體生長裝置          201910860787.1     發明     2019/9/11                 在受理     中國
322     一種晶體生長裝置          201910859971.4     發明     2019/9/11                 在受理     中國


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第23頁
                                                 上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                     上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱           專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

323     一種晶棒切割裝置和方法    201910636557.7     發明     2019/7/15                  在受理     中國
324     治具                      201921572072.8   實用新型   2019/9/20                  在受理     中國
325     清洗槽及修整器清洗系統    201921572089.3   實用新型   2019/9/20                  在受理     中國
326     清洗槽及修整器清洗系統    201921572087.4   實用新型   2019/9/20                  在受理     中國
327     外延層的形成方法          201510658742.8     發明     2015/10/15                 在受理     中國
328     晶圓的形成方法            201510659200.2     發明     2015/10/13                 在受理     中國
329     真空管閃存結構及其制造
                                  201510658550.7     發明     2015/10/12                 在受理     中國
        方法
330     單晶硅錠及晶圓的形成方
                                  201510667035.5     發明     2015/10/15                 在受理     中國
        法
331     CMOS 結構及其制備方法     201510683929.3     發明     2015/10/20                 在受理     中國
332     量子阱器件及其形成方法    201510707751.1     發明     2015/10/27                 在受理     中國
333     量子阱器件及其形成方法    201510707771.9     發明     2015/10/27                 在受理     中國
334     單晶硅的生長方法及其制
                                  201610120860.8     發明      2016/3/3                  在受理     中國
        備的單晶硅錠
335     石墨烯場效應晶體管及其
                                  201610173589.4     發明     2016/3/24                  在受理     中國
        制造方法
336     降低預抽腔體中芯片溫度
                                  201610218416.X     發明      2016/4/8                  在受理     中國
        的方法及芯片降溫裝置
337     區熔法生長硅單晶用氣體
        噴射與射頻加熱一體裝置    201610140082.9     發明     2016/3/11                  在受理     中國
        及方法
338     單晶硅錠及晶圓的形成方
                                  201610224914.5     發明     2016/4/12                  在受理     中國
        法
339     伯努利基座                201610278821.0     發明     2016/4/28                  在受理     中國
340     納米線半導體器件及其制
                                  201610150107.3     發明     2016/3/16                  在受理     中國
        造方法
341     一種激光退火裝置及激光
                                  201610334207.1     發明     2016/5/19                  在受理     中國
        退火方法
342     一種晶圓的精拋光方法      201610331501.7     發明     2016/5/18                  在受理     中國
343     刻蝕方法、刻蝕裝置及半
                                  201610778104.4     發明     2016/8/30                  在受理     中國
        導體晶圓分割方法
344     超導帶及其制造方法        201610985266.5     發明     2016/10/25                 在受理     中國
345     一種復合石墨烯超導帶材
                                  201710209379.0     發明     2017/3/31                  在受理     中國
        結構及其制備方法
346     一種復合碳納米管超導芯
                                  201710209378.6     發明     2017/3/31                  在受理     中國
        線材結構及其制備方法
347     真空管快閃記憶體結構與
                                     I556413                  2016.11.1    2036.3.9      授權       臺灣
        其制造方法
348     量子阱裝置及其形成方法       I569337                   2017.2.1    2036.3.2      授權       臺灣
349     高壓無接面場效應元件及
                                     I565007                   2017.1.1    2036.3.9      授權       臺灣
        其形成方法
350     垂直真空密封奈米碳管場
                                     I569314                   2017.2.1    2036.6.6      授權       臺灣
        效電晶體及其製造方法



       中聯資產評估集團有限公司                                                          第24頁
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                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

351     鰭狀場效電晶體及其制備
                                    I573182                  2017.2.1     2036.6.6      授權       臺灣
        方法
352     石英腔體的固定治具及清
                                   M536241                   2017.2.1     2026.11.3     授權       臺灣
        洗裝置
353     SOI 基底及其製備方法        I587446                  2017/6/11    2037/6/10     授權       臺灣
354     晶圓的形成方法              I593023                  2016/3/8     2016/3/8      授權       臺灣
355     半導體結構及其形成方法      I594335                  2016/3/7     2016/3/7      授權       臺灣
356     垂直電晶體及其至製備方
                                    I599038                  2016/3/14    2036/3/13     授權       臺灣
        法
357     單晶矽晶錠及晶圓的形成
                                    I589737                  2016/3/14    2016/3/14     授權       臺灣
        方法
358     場效電晶體及其製備方法      I578532                  2016/3/11    2016/3/11     授權       臺灣
359     CMOS 結構其製備方法         I596708                  2016/1/25    2016/1/25     授權       臺灣
360     絕緣體上三五族化合物基
                                    I590307                  2017/7/1     2037/6/30     授權       臺灣
        板的製備方法
361     量子阱元件及其形成方法      I578531                  2017/4/11    2037/4/10     授權       臺灣
362     高壓無接面場效元件及其
                                    I588944                  2017/6/21    2037/6/20     授權       臺灣
        製造方法
363     雙通道 FinFET 元件及其
                                    I587504                  2017/6/11    2037/6/10     授權       臺灣
        製造方法
364     具有漂移區和漸變通道的
        高壓無接面場效應元件及      I587404                  2017/6/11    2037/6/10     授權       臺灣
        其形成方法
365     互補奈米線半導體元件及
                                    I585832                  2017/6/1     2037/5/31     授權       臺灣
        其製造方法
366     全密封真空奈米碳管場效
                                    I594307                  2017/8/1     2037/7/31     授權       臺灣
        電晶體及其製造方法
367     晶圓熱處理的方法(二)        I585250                  2017/6/1     2037/5/31     授權       臺灣
368     單晶矽之成長方法及其製
                                    I577841                  2017/4/11    2037/4/10     授權       臺灣
        備之單晶矽錠(二)
369     絕緣層上覆矽基板及其製
                                    I592987                  2017/7/21    2037/7/20     授權       臺灣
        造方法
370     真空管快閃記憶體結構之
                                    I569420                  2017/2/1     2037/1/31     授權       臺灣
        製造方法
371     半導體結構及其形成方法      I587371                  2017/6/11    2037/6/10     授權       臺灣
372     液晶顯示器面板及其畫素
                                    I589974                  2017/7/1     2037/6/30     授權       臺灣
        單元的製備方法
373       真空管快閃記憶體結構
                                    I590389                  2017/7/1     2037/6/30     授權       臺灣
        之製造方法
374     提高矽晶片磊晶層表面平
                                    I600071                  2016/9/10    2036/9/9      授權       臺灣
        整度之方法
375       微電子結構及其形成方
                                    I600164                  2016/9/23    2036/9/22     授權       臺灣
        法(一)
376     雙閘極石墨烯場效電晶體
                                    I591729                  2017/7/11    2037/7/10     授權       臺灣
        及其製造方法
377       降低預抽腔體中晶片溫
                                    I576970                  2017/4/1     2037/3/31     授權       臺灣
        度的方法及晶片降溫裝置


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第25頁
                                                上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

378     表面聲波裝置的製造方法
                                    I594469                   2017/8/1    2037/7/31     授權       臺灣
        及溫度檢測設備
379     區熔法生長單晶矽用氣體
        噴射與射頻加熱一體裝置      I592523                  2017/7/21    2037/7/20     授權       臺灣
        及方法
380      晶圓控片及其製造方法       I600070                   2016/9/9    2036/9/8      授權       臺灣
381     真空奈米管場效電晶體及
                                    I589004                  2017/6/21    2037/6/20     授權       臺灣
        其製造方法
382     熔體設備的保護裝置          I592528                  2017/7/21    2037/7/20     授權       臺灣
383     一種低溫磊晶方法及裝置      I591699                  2017/7/11    2037/7/10     授權       臺灣
384     一種半導體晶圓的拋光方
                                    I596668                  2017/4/27    2037/4/26     授權       臺灣
        法
385     一種奈米線記憶體結構及
                                    I587488                  2017/6/11    2037/6/10     授權       臺灣
        其製造方法
386     半導體結構及其形成方法      I605524                   2016/3/8    2036/3/7      授權       臺灣
387     互補金氧半場效電晶體及
                                    I604604                   2016/3/8    2036/3/7      授權       臺灣
        其製備方法
388     絕緣層上覆矽基板及其製
                                    I611462                  2016/6/15    2036/6/14     授權       臺灣
        造方法
389     製造石墨烯場效電晶體之
                                    I604535                  2016/10/7    2036/10/6     授權       臺灣
        方法
390     減少磊晶晶圓缺陷的形成
                                    I608539                  2016/9/14    2036/9/13     授權       臺灣
        方法
391     單晶矽錠及晶圓的形成方
                                  105126283                  2016/8/17    2036/8/16     授權       臺灣
        法
392     真空奈米管場效電晶體及
                                    I598963                  2016/9/21    2036/9/20     授權       臺灣
        其製造方法
393     石英腔體的清洗裝置及清
                                  105135140                  2016/10/28   2036/10/27    授權       臺灣
        洗方法
394     機械手臂及基板的抓取方
                                    I610397                  2016/11/17   2036/11/16    授權       臺灣
        法
395     晶圓的雙面拋光方法        105133111                  2016/10/13   2036/10/12    授權       臺灣
396     一種單晶矽生長爐          105136949                  2016/11/11   2036/11/10    授權       臺灣
397     一種基於奈米線的高電子
        遷移率電晶體及其製作方      I607961                  2016/11/29   2036/11/28    授權       臺灣
        法
398     一種形成氧化層和磊晶層
                                    I608133                  2016/12/2    2036/12/1     授權       臺灣
        的方法
399     在石英坩堝中製備矽熔融
                                    I609997                  2016/12/14   2036/12/13    授權       臺灣
        體的方法
400     晶圓片架的取放片裝置        I604557                  2017/1/23    2037/1/22     授權       臺灣
401     一種晶圓薄化方法及裝置      I602233                  2016/12/21   2036/12/20    授權       臺灣
402     一種晶圓薄化方法及薄化
                                    I602217                  2016/12/23   2036/12/22    授權       臺灣
        的晶圓結構
403     一種蝕刻裝置及半導體晶
                                    I602226                  2017/2/10    2037/2/9      授權       臺灣
        圓分割方法
404     一種奈米管記憶體結構及
                                    I611563                   2017/1/4    2037/1/3      授權       臺灣
        其製造方法

       中聯資產評估集團有限公司                                                         第26頁
                                                上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

405     白努利效應的底座及磊晶
                                  105143707                  2016/12/28   2036/12/27    授權       臺灣
        設備
406     晶圓表面平坦度測量系統    106115519                  2017/5/10    2037/5/9      授權       臺灣
407     磊晶層的形成方法          105106530                   2016/3/3    2036/3/2      授權       臺灣
408     矽單晶棒回收裝置、矽單
        晶棒回收方法、以及液氮    105107085                   2016/3/8    2036/3/7      授權       臺灣
        供應裝置
409     單晶矽晶錠及晶圓的形成
                                  105106935                   2016/3/7    2036/3/6      授權       臺灣
        方法
410     單晶矽錠及晶圓的形成方
                                  105118435                  2016/6/13    2036/6/12     授權       臺灣
        法
411     晶圓熱處理的方法(一)      105113326                  2016/4/28    2036/4/27     授權       臺灣
412     絕緣層上覆矽基板及其製
                                  105118982                  2016/6/16    2036/6/15     授權       臺灣
        造方法
413       微電子結構及其形成方
                                  105130895                  2016/9/23    2036/9/22     授權       臺灣
        法
414       降低預抽腔體中晶片溫
                                  105125812                  2016/8/12    2036/8/11     授權       臺灣
        度的方法及晶片降溫裝置
415     減少磊晶晶圓缺陷的形成
                                  105125356                   2016/8/9    2036/8/8      授權       臺灣
        方法
416     白努利基座裝置及沉積設
                                  105127147                  2016/8/24    2036/8/23     授權       臺灣
        備
417       晶圓金屬污染的評估方
                                  105128040                  2016/8/31    2036/8/30     授權       臺灣
        法
418     基板的抓取裝置及其抓取
                                  105139540                  2016/11/30   2036/11/29    授權       臺灣
        方法
419     一種雷射退火裝置及雷射
                                  105133605                  2016/10/18   2036/10/17    授權       臺灣
        退火方法
420     磊晶生長方法              105138314                  2016/11/22   2036/11/21    授權       臺灣
421     晶圓的拋光方法            105133329                  2016/10/14   2036/10/13    授權       臺灣
422     環閘極 III-V 族量子井電
        晶體及鍺無接面電晶體及    105132263                  2016/10/5    2036/10/4     授權       臺灣
        其製造方法
423     一種溶劑混和器            105136725                  2016/11/10   2036/11/9     授權       臺灣
424     半導體晶片濕式清洗設備    105139753                  2016/12/1    2036/11/30    授權       臺灣
425     柴氏拉晶法生長單晶矽的
                                  105141270                  2016/12/13   2036/12/12    授權       臺灣
        方法
426     一種記憶體結構及其製備
                                  105143229                  2016/12/26   2036/12/25    授權       臺灣
        方法
427     拉晶爐的拉晶機構          106100763                  2017/1/10    2037/1/9      授權       臺灣
428     一種減少自摻雜的底座及
                                  106102643                  2017/1/24    2037/1/23     授權       臺灣
        磊晶設備
429     溫度傳感器及測溫方法      106101936                  2017/1/19    2037/1/18     授權       臺灣
430       熱屏組件及單晶提拉爐
                                  106100335                   2017/1/5    2037/1/4      授權       臺灣
        熱場結構
431     新型加熱器及單晶提拉爐
                                  106101062                  2017/1/12    2037/1/11     授權       臺灣
        熱場結構

       中聯資產評估集團有限公司                                                         第27頁
                                                上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號             專利名稱         專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

432     顯示螢幕的保護層、顯示
                                  106105997                  2017/2/22    2037/2/21     授權       臺灣
        螢幕、及其形成方法
433     拉晶爐                    106105999                  2017/2/22    2037/2/21     授權       臺灣
434     籽晶夾頭及直拉單晶爐      106101596                  2017/1/17    2037/1/16     授權       臺灣
435     互補式金屬氧化物半導體
                                  106107272                   2017/3/6    2037/3/5      授權       臺灣
        元件的製造方法
436     浮熔帶法生長晶體的設備
                                  106120429                  2017/6/19    2037/6/18     授權       臺灣
        及方法
437     自動進料系統及進料方法    106107635                   2017/3/8    2037/3/7      授權       臺灣
438     晶片放置裝置和晶片定向
                                  106123085                  2017/7/10    2037/7/9      授權       臺灣
        儀
439     真空管場效電晶體陣列及
                                  106117058                  2017/5/23    2037/5/22     授權       臺灣
        其製造方法
440     基於水平雷射照射的晶圓
                                  106123084                  2017/7/10    2037/7/9      授權       臺灣
        減薄設備及方法
441     晶圓傳片結構              106121312                  2017/6/26    2037/6/25     授權       臺灣
442     一種 OLED 結構及其製作
                                  106122285                   2017/7/3    2037/7/2      授權       臺灣
        方法
443     監測基座溫度均勻性的方
                                  105118438                  2016/6/13    2036/6/12     授權       臺灣
        法
444     鰭狀場效電晶體及其製備
                                  105118647                  2016/6/14    2036/6/13     授權       臺灣
        方法
445     石墨烯場效電晶體及其製
                                  105124833                   2016/8/4    2036/8/3      授權       臺灣
        造方法
446     一種磊晶設備、設備製作
                                  105143428                  2016/12/27   2036/12/26    授權       臺灣
        方法及磊晶方法
447     校正晶片及其製造方法      106110385                  2017/3/28    2037/3/27     授權       臺灣
448     一種磊晶爐矽片基座          I633199                  2017/8/23    2037/8/22     授權       臺灣
449     拋光設備及檢測方法        106128610                  2017/8/23    2037/8/22     授權       臺灣
450     晶圓尋邊裝置              106145672                  2017/12/26   2037/12/25    授權       臺灣
451     監測基座溫度均勻性的方
                                  105118035                   2016/6/7    2036/6/6      授權       臺灣
        法
452     單晶矽之成長方法及其製
                                  105113342                  2016/4/28    2036/4/27     授權       臺灣
        備之單晶矽錠(一)
453     磊晶生長設備              105135781                  2016/11/3    2036/11/2     授權       臺灣
454     蝕刻方法、蝕刻裝置及半
                                  106103855                   2017/2/6    2037/2/5      授權       臺灣
        導體晶圓分割方法
455     半導體晶盒清洗乾燥儲存
                                  106112992                  2017/4/18    2037/4/17     授權       臺灣
        一體化方法及設備
456     一種基於負電容的環閘場
                                  106105371                  2017/2/17    2037/2/16     授權       臺灣
        效電晶體及其製作方法
457     一種化學機械拋光液及其
                                  106115518                  2017/5/10    2037/5/9      授權       臺灣
        製備方法
458     一種單晶爐                106104270                   2017/2/9    2037/2/8      授權       臺灣
459     摻雜氣體緩衝裝置、摻雜
                                  106104271                   2017/2/9    2037/2/8      授權       臺灣
        氣體供給裝置及方法


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第28頁
                                                上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

460     一種多晶矽二次加料裝置
                                  106109608                  2017/3/22    2037/3/21     授權       臺灣
        及方法
461     一種互補電晶體元件結構
                                  106111938                  2017/4/10    2037/4/9      授權       臺灣
        及其製作方法
462     半導體晶片濕法清洗設備    106109026                  2017/3/17    2037/3/16     授權       臺灣
463     改善晶圓表面切割形貌的
                                  106121311                  2017/6/26    2037/6/25     授權       臺灣
        線切割系統
464     帶有溢流腔的尾氣處理裝
                                  106116182                  2017/5/16    2037/5/15     授權       臺灣
        置
465     校正晶片及其製造方法      106111937                  2017/4/10    2037/4/9      授權       臺灣
466     超導帶及其製造方法        106110386                  2017/3/28    2037/3/27     授權       臺灣
467     碳化矽晶體(4H-SiC)生長
                                  106118571                   2017/6/5    2037/6/4      授權       臺灣
        方法
468     一種閘陣列無接面半導體
        通道記憶體結構及其製備    106118146                   2017/6/1    2037/5/31     授權       臺灣
        方法
469     一種無接面半導體通道閘
        陣列記憶體結構及其製備    106120253                  2017/6/16    2037/6/15     授權       臺灣
        方法
470     一種神經元電晶體結構及
                                  106120431                  2017/6/19    2037/6/18     授權       臺灣
        其製備方法
471     晶種固定夾及單晶提拉爐    106125956                   2017/8/1    2037/7/31     授權       臺灣
472     適用於單片式磊晶爐的分
                                  106124966                  2017/7/25    2037/7/24     授權       臺灣
        離式基座元件
473     一種後閘無接面反及閘快
                                  106130196                   2017/9/4    2037/9/3      授權       臺灣
        閃記憶體及其製作方法
474     分離式卡盤裝置以及晶圓
                                  106140654                  2017/11/23   2037/11/22    授權       臺灣
        的研磨製程
475     砂漿供應裝置              106132999                  2017/9/26    2037/9/25     授權       臺灣
476     承受器、氣相生長裝置及
                                  106133459                  2017/9/28    2037/9/27     授權       臺灣
        氣相生長方法
477     晶圓接合方法及其接合裝
                                  106109607                  2017/3/22    2037/3/21     授權       臺灣
        置
478     磁控去除矽化物顆粒的尾
                                  106116181                  2017/5/16    2037/5/15     授權       臺灣
        氣處理裝置
479     具有黑磷通道層的低接觸
        電阻率 FinFET 及其製備    106117059                  2017/5/23    2037/5/22     授權       臺灣
        方法
480     一種奈米碳管束場效電晶
                                  106122286                   2017/7/3    2037/7/2      授權       臺灣
        體陣列及其製造方法
481     一種半導體元件及其製造
                                  106138860                  2017/11/10   2037/11/9     授權       臺灣
        方法、電子裝置
482     氣相生長裝置及氣相生長
                                  106133460                  2017/9/28    2037/9/27     授權       臺灣
        方法
483     一種矽片少數載子壽命的
                                  106145180                  2017/12/22   2037/12/21    授權       臺灣
        測試方法及測試裝置
484     高壓無接面場效元件及其
                                  105103631                   2016/2/3    2036/2/2      授權       臺灣
        製造方法


       中聯資產評估集團有限公司                                                         第29頁
                                                上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號               專利名稱       專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

485     互補奈米線半導體元件及
                                  105118646                  2016/6/14    2036/6/13     授權       臺灣
        其製備方法
486     液晶顯示器面板及其畫素
                                  105131751                  2016/9/30    2036/9/29     授權       臺灣
        單元的製備方法
487     磊晶設備腔室蓋板          105129864                  2016/9/13    2036/9/12     授權       臺灣
488     機械手臂的監控系統及其
                                  105137319                  2016/11/15   2036/11/14    授權       臺灣
        監控方法
489     半導體晶圓的拋光方法      106114154                  2017/4/27    2037/4/26     授權       臺灣
490     一種神經元電晶體結構及
                                  106118147                   2017/6/1    2037/5/31     授權       臺灣
        其製備方法
491     一種矽片製作方法          106126976                   2017/8/9    2037/8/8      授權       臺灣
492     碳化矽晶體切片移動設備
                                  106124187                  2017/7/19    2037/7/18     授權       臺灣
        及移動方法
493     一種基於雷射水射流的晶
                                  106124970                  2017/7/25    2037/7/24     授權       臺灣
        圓減薄設備及方法
494     宏觀畫痕長度測量裝置      106126978                   2017/8/9    2037/8/8      授權       臺灣
495     一種半導體元件及其製造
                                  106141268                  2017/11/28   2037/11/27    授權       臺灣
        方法、電子裝置
496     白努利基座裝置及沉積設
                                  105126457                  2016/8/18                  在受理     臺灣
        備
497     白努利基座裝置及沉積設
                                  105127316                  2016/8/25                  在受理     臺灣
        備
498     白努利基座                105129508                  2016/9/10                  在受理     臺灣
499     晶盒清洗設備              105142807                  2016/12/22                 在受理     臺灣
500     磊晶設備                  105130220                  2016/9/19                  在受理     臺灣
501     一種吸附材料、吸附裝置
                                  105134156                  2016/10/21                 在受理     臺灣
        及製備方法
502     基於表面聲波的濕度感測
                                  105134328                  2016/10/24                 在受理     臺灣
        器及其製備方法
503     晶圓支撐板組件、拋光裝
                                  105138716                  2016/11/24                 在受理     臺灣
        置及晶圓精拋光方法
504     拋光液供應系統及方法      105138717                  2016/11/24                 在受理     臺灣
505     專案任務分配方法、裝
        置、電腦設備和專案管理    105141097                  2016/12/12                 在受理     臺灣
        系統
506     微波退火製備 3D NAND
                                  106105373                  2017/2/17                  在受理     臺灣
        的方法
507     碳化矽晶體(4H-SiC)生長
                                  106112994                  2017/4/18                  在受理     臺灣
        設備及方法
508     基於傅立葉轉換紅外光譜
                                  106107275                   2017/3/6                  在受理     臺灣
        的特徵化設備
509     測量方法                  106120252                  2017/6/16                  在受理     臺灣
510     一種矽片研磨裝置及其研
                                  106125952                   2017/8/1                  在受理     臺灣
        磨方法
511     支撐臺、改善晶圓或磊晶
        生長晶圓表面的頂針痕跡    106140655                  2017/11/23                 在受理     臺灣
        的方法

       中聯資產評估集團有限公司                                                         第30頁
                                                上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期   有效止日期   法律狀態   申請國

512     一種半導體晶圓的清洗方
                                  106139281                  2017/11/14                在受理     臺灣
        法
513     一種矽片少數載子壽命的
                                  106145181                  2017/12/22                在受理     臺灣
        測試方法及測試裝置
514     豎直插入式阻擋腳及白努
                                  106127840                  2017/8/16                 在受理     臺灣
        利吸盤
515     拋光盤基座、拋光盤、拋
                                  107110183                  2018/3/26                 在受理     臺灣
        光機以及最終拋光方法
516     一種晶棒的切割方法及切
                                  107110439                  2018/3/27                 在受理     臺灣
        割裝置
517     用於預清洗機的水道裝
        置、預清洗機以及預清洗    107101769                  2018/1/18                 在受理     臺灣
        方法
518     一種晶圓及其制造方法、
                                  107103145                  2018/1/30                 在受理     臺灣
        電子裝置
519     一種校準磊晶腔溫度的方
                                  108117794                  2019/5/23                 在受理     臺灣
        法
520     一種晶體生長控制方法、
        裝置、系統及電腦儲存媒    108120810                  2019/6/17                 在受理     臺灣
        體
521     一種單晶矽晶棒的長晶方
                                  108118323                  2019/5/28                 在受理     臺灣
        法(一)
522     一種單晶矽晶棒的長晶方
                                  108118371                  2019/5/28                 在受理     臺灣
        法(二)
523     一種單晶生長爐的反射屏
                                  108119302                   2019/6/4                 在受理     臺灣
        及單晶生長爐
524     一種晶體生長控制方法、
        裝置、系統及電腦儲存媒    108121630                  2019/6/21                 在受理     臺灣
        體
525     奈米線半導體元件及其製
                                  105127931                  2016/8/30                 在受理     臺灣
        造方法
526     石英腔體的清洗方法        105134611                  2016/10/26                在受理     臺灣
527     低溫磊晶方法及設備        105132931                  2016/10/12                在受理     臺灣
528     基於二維電子氣的低功耗
                                  105133765                  2016/10/19                在受理     臺灣
        氫氣感測器及其製造方法
529     線切割砂漿供應系統及方
                                  105138950                  2016/11/25                在受理     臺灣
        法
530     坩堝、坩堝的製備方法及
        碳化矽晶體(4H-SiC)的生    106109027                  2017/3/17                 在受理     臺灣
        長方法
531     單晶生長爐熱屏及其製造
                                  106107636                   2017/3/8                 在受理     臺灣
        方法
532     晶棒線切割裝置及晶棒線
                                  106118572                   2017/6/5                 在受理     臺灣
        切割方法
533     碳化矽晶體切片設備及切
                                  106124189                  2017/7/19                 在受理     臺灣
        片方法
534     研磨臺清洗裝置及其清洗
                                  106141267                  2017/11/28                在受理     臺灣
        方法
535     一種半導體元件及其製造
                                  106138701                  2017/11/9                 在受理     臺灣
        方法、電子裝置


       中聯資產評估集團有限公司                                                        第31頁
                                                    上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                        上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號             專利名稱             專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

536     METHOD FOR MAKING
        III-V NANOWIRE
                                      15/161,504       發明      2015/10/15   2035/10/14    授權       美國
        QUANTUM WELL
        TRANSISTOR
537     High voltage junetionless
        field effect device and its   15/012,873       發明      2015/11/6    2035/11/5     授權       美國
        method of fabrication
538     Vertical transistor and the
                                      15/003,809       發明      2016/1/22    2036/1/21     授權       美國
        fabrication methods
539     METHOD OF
        PREPARATION OF III-V
        COMPOUND LAYER ON
                                      15/067,192       發明      2016/3/11    2036/3/10     授權       美國
        LARGE AREA SI
        INSULATING
        SUBSTRATE
540     SOI STRUCTURE AND
                                      15/067,196       發明      2016/3/11    2036/3/10     授權       美國
        FABRICATION METHOD
541     THERMAL PROCESSING
                                      15/268,006       發明      2016/9/16    2036/9/15     授權       美國
        METHOD FOR WAFER
542     "COMPLEMENTARY
        NANOWIRE
        SEMICONDUCTOR
        DEVICE AND
543     FABRICATION METHOD
        THEREOF
544     "                             15/268,164       發明      2016/9/16    2036/9/15     授權       美國
545     FINFET AND
        FABRICATION METHOD            15/270,966       發明      2016/9/20    2036/9/19     授權       美國
        THEREOF
546     FINFET AND
        MANUFACTURING                 15/270,992       發明      2016/9/20    2036/9/19     授權       美國
        METHOD THEREOF
547     Metal-ONO-Vacuum Tube
        Charge Trap Flash
        (VTCTF) Nonvolatile           15/202,418       發明       2016/7/5    2036/7/4      授權       美國
        Memory and the method
        for making the same
548     HYBRID INTEGRATION
        FABRICATION OF
        NANOWIRE GATE-ALL-
                                      15/157,421       發明      2016/5/18    2036/5/17     授權       美國
        AROUND GE PFET AND
        POLYGONAL III-V PFET
        CMOS DEVICE
549     A High-voltage
        Junctionless Device with
        Drift Region and the          15/012,864       發明       2016/2/2    2036/2/1      授權       美國
        Method for Making the
        Same
550     THERMAL PROCESSING
                                      15/198,706       發明      2016/6/30    2036/6/29     授權       美國
        METHOD FOR WAFER
551     METHOD FOR
        GROWING
        MONOCRYSTALLINE
        SILICON AND                   15/198,893       發明      2016/6/30    2036/6/29     授權       美國
        MONOCRYSTALLINE
        SILICON INGOT
        PREPARED THEREOF


       中聯資產評估集團有限公司                                                             第32頁
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                                    上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號            專利名稱          專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

552     METHOD FOR MAKING
        III-V NANOWIRE
                                  15/452,764       發明       2017/3/8    2037/3/7      授權       美國
        QUANTUM WELL
        TRANSISTOR
553     COMPLEMENTARY
        METAL-OXIDE-
        SEMICONDUCTOR
                                  15/166,076       發明      2016/5/26    2036/5/25     授權       美國
        FIELD-EFFECT
        TRANSISTOR AND
        METHOD THEREOF
554     "COMPLEMENTARY
        NANOWIRE
        SEMICONDUCTOR
        DEVICE AND
555     FABRICATION METHOD
        THEREOF
556     "                         15/587,484       發明       2017/5/5    2037/5/4      授權       美國
557     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING             15/415,609       發明      2017/1/25    2037/1/24     授權       美國
        METHOD THEREOF
558     Metal-ONO-Vacuum Tube
        Charge Trap Flash
        (VTCTF) Nonvolatile       15/783,115       發明      2017/10/13   2037/10/12    授權       美國
        Memory and the method
        for making the same
559     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING             15/198,805       發明      2016/6/30    2036/6/29     授權       美國
        METHOD THEREOF
560     METHOD FOR
        GROWING
        MONOCRYSTALLINE
        SILICON AND               15/268,083       發明      2016/9/16    2036/9/15     授權       美國
        MONOCRYSTALLINE
        SILICON INGOT
        PREPARED THEREOF
561     METHOD FOR
        FORMING EPITAXIAL         15/134,722       發明      2016/4/21                  在受理     美國
        LAYER
562     METHOD FOR
                                  15/178,041       發明       2016/6/9                  在受理     美國
        FORMING WAFER
563     VACUUM TUBE
        NONVOLATILE
        MEMORY AND THE            15/161,442       發明      2016/5/23                  在受理     美國
        METHOD FOR MAKING
        THE SAME
564     SEMICONDUCTOR
        STRUCTURE AND
                                  15/161,472       發明      2016/5/23                  在受理     美國
        FORMING METHOD
        THEREOF
565     SEMICONDUCTOR
        STRUCTURE AND
                                  15/166,032       發明      2016/5/26                  在受理     美國
        METHOD FOR
        FORMING THE SAME
566     METHOD FOR
        FORMING
        MONOCRYSTALLINE           15/165,937       發明      2016/5/26                  在受理     美國
        SILICON INGOT AND
        WAFER

       中聯資產評估集團有限公司                                                         第33頁
                                                      上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
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序號             專利名稱               專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

567     Method for forming
        monocrystalline silicon         15/178,080       發明       2016/6/9                  在受理     美國
        ingot and wafers
568     COMS Structure and
                                        15/004,245       發明      2016/1/22                  在受理     美國
        fabrication Method thereof
569     SOI STRUCTURE AND
                                        15/166,015       發明      2016/5/26                  在受理     美國
        FABRICATION METHOD
570     Vertical transistor and the
                                        15/491,985       發明      2017/4/20                  在受理     美國
        fabrication methods
571     Method For Formation Of
        VerticalL Cylindrical GaN       15/077,867       發明      2016/3/22                  在受理     美國
        Quantum Well Transistor
572     Method For Formation Of
        VerticalL Cylindrical GaN       15/491,988       發明      2017/4/20                  在受理     美國
        Quantum Well Transistor
573     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING                   15/258,899       發明       2016/9/7                  在受理     美國
        METHOD THEREOF
574     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING                   15/268,222       發明      2016/9/16                  在受理     美國
        METHOD THEREOF
575     SEMICONDUCTOR
        STRUCTURE AND
                                        15/271,029       發明      2016/9/20                  在受理     美國
        METHOD FOR
        FORMING THE SAME
576     HYBRID INTEGRATION
        FABRICATION OF
        NANOWIRE GATE-ALL-
                                        15/491,989       發明      2017/4/20                  在受理     美國
        AROUND GE PFET AND
        POLYGONAL III-V PFET
        CMOS DEVICE
577     METHOD FOR
        GROWING
        MONOCRYSTALLINE
                                        15/392,118       發明      2016/12/28                 在受理     美國
        SILICON BY USING
        CZOCHRALSKI
        METHOD
578     COMPLEMENTARY
        METAL-OXIDE-
        SEMICONDUCTOR
                                        15/836,399       發明      2017/12/8                  在受理     美國
        FIELD-EFFECT
        TRANSISTOR AND
        METHOD THEREOF
579     A SLICING METHOD
        AND A SLICING
                                        16/109,912       發明      2018/8/23                  在受理     美國
        APPARATUS FOR AN
        INGOT
580     METHOD FOR
        GROWING
        MONOCRYSTALLINE
        SILICON AND                   10-2016-0098817    發明       2016/8/3    2036/8/2      授權       韓國
        MONOCRYSTALLINE
        SILICON INGOT
        PREPARED THEREOF
581     METHOD FOR
                                      10-2016-0122782    發明      2016/9/26    2036/9/25     授權       韓國
        FORMING WAFER
582     METHOD FOR
                                      10-2016-0092662    發明      2016/7/21    2036/7/20     授權       韓國
        FORMING

       中聯資產評估集團有限公司                                                               第34頁
                                                   上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                                       上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
序號             專利名稱            專利號/申請號   專利類別   有效起日期    有效止日期   法律狀態   申請國

        MONOCRYSTALLINE
        SILICON INGOT AND
        WAFER
583     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING              10-2017-0023070    發明      2017/2/21    2037/2/20     授權       韓國
        METHOD THEREOF
584     Method for forming
        monocrystalline silicon    10-2016-0122925    發明      2016/9/26    2036/9/25     授權       韓國
        ingot and wafers
585     SOI STRUCTURE AND
                                   10-2016-0123796    發明      2016/9/27    2036/9/26     授權       韓國
        FABRICATION METHOD
586     METHOD FOR
        FORMING EPITAXIAL          10-2016-0085551    發明      2016/7/6                   在受理     韓國
        LAYER
587     THERMAL PROCESSING
                                   10-2017-0022621    發明      2017/2/21                  在受理     韓國
        METHOD FOR WAFER
588     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING              10-2017-0023836    發明      2017/2/23                  在受理     韓國
        METHOD THEREOF
589     SOI SUBSTRATE AND
        MANUFACTURING              10-2017-0023872    發明      2017/2/23                  在受理     韓國
        METHOD THEREOF
590     ウエハ形成方法              2016-123427       發明                                 授權       日本
591     単結晶シリコソイソゴツ
        トあよびウエーハの形成      2016-115362       發明                                 授權       日本
        方法
592     SOI 構造および製造方法      2016-108526       發明                                 授權       日本
593     単結晶シリコンを成長さ
                                    2016-137621       發明                                 授權       日本
        せる方法
594     SOI 基板及びそよ製造方
                                    2016-139399       發明                                 授權       日本
        法→SOI 基板の製造方法
595     エピタキシャル層を形成
                                    2016-098691       發明                                 在受理     日本
        する方法
596     単結晶シリコソイソゴツ
                                    2016-123431       發明                                 在受理     日本
        ト及びウエハの形成方法
597     ウエハの熱処理方法          2016-146182       發明                                 在受理     日本
598     SOI 基板及びそよ製造方
                                    2016-186873       發明                                 在受理     日本
        法
599     SOI 基板及びそよ製造方
                                    2016-186878       發明                                 在受理     日本
        法
600     Verfahren zur Ausbukdung
                                   102016113402.3     發明                                 在受理     德國
        einer Epitaxialschicht
601     Method for forming wafer   102016115524.1     發明                                 在受理     德國
602     Method for forming
        monocrystallinne silicon   102016115518.7     發明                                 在受理     德國
        ingot and wafer
603     Method for forming
        monocrystallinne silicon   102016118224.9     發明                                 在受理     德國
        ingot and wafers
604     SOI Structureand
                                   102016118509.4     發明                                 在受理     德國
        fabrication method
605     THERMAL PROCESSING
                                   102016114940.3     發明                                 在受理     德國
        METHOD FOR WAFER

       中聯資產評估集團有限公司                                                            第35頁
                                       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
    (注:暫未填寫名稱的專利,為申請未提前公開,仍處于保密階段的專利)

     (五)企業申報的表外資產的類型、數量
     截止評估基準日,本次評估范圍內被評估企業申報的表外資產為專利
及專利申請權共 605 項,具體清單詳見上文。
     (六)引用其他機構出具的報告的結論所涉及的資產類型、數量和賬面
金額
     本次評估報告中基準日各項資產及負債賬面值系包括在經普華永道
審計的上海硅產業集團股份有限公司合并報表范圍內(普華永道中天審字
(2019)第 11056 號)。除此之外,未引用其他機構報告內容。



     四、價值類型及其定義

     依據本次評估目的,確定本次評估的價值類型為市場價值。
     市場價值是指自愿買方和自愿賣方在各自理性行事且未受任何強迫
的情況下,評估對象在評估基準日進行正常公平交易的價值估計數額。



     五、評估基準日

       1.本項目資產評估的基準日是2019年9月30日;
       2.評估基準日是由委托人在綜合考慮實現經濟行為的需要、被評估單
位的資產規模、工作量大小、預計所需時間、合規性要求,以及會計期末
提供資料的便利和評估基準日前后利率和匯率的穩定,與評估基準日與經
濟行為實現日盡可能接近等因素后確定;
       3.本次評估采用的價格均為評估基準日有效的價格標準。




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     六、評估依據

     本次資產評估遵循的評估依據主要包括經濟行為依據、法律法規依據、
評估準則依據、資產權屬依據及評定估算時采用的取價依據和其他參考資
料等,具體如下:
     (一)經濟行為依據
     上海新昇半導體科技有限公司《臨時董事會會決議》(2020臨董002號)。
     (二)法律法規依據
     1.《中華人民共和國資產評估法》(中華人民共和國主席令第46號);
     2.《中華人民共和國公司法》(2013年修訂);
     3.《中華人民共和國企業所得稅法》(中華人民共和國第十屆全國代
表大會第五次會議于2007年3月16日通過);
     4.《中華人民共和國企業所得稅法實施條例》(2007年11月28日國務
院第197次常務會議通過);
     5.《中華人民共和國增值稅暫行條例》(國務院令第538號);
     6.《中華人民共和國增值稅暫行條例實施細則》(財政部、國家稅務總
局令第50號);
     7.《企業國有資產評估管理暫行辦法》國務院國有資產監督管理委員
會令第12號(2005年8月25日);
     8.《企業國有資產監督管理暫行條例》(2011修訂);
     9.《關于加強企業國有資產評估管理工作有關問題的通知》(國資委
產權[2006]274號);
     10. 《上海市企業國有資產評估報告審核手冊》(滬國資委評估
〔2018〕353號) ;
     11. 《中華人民共和國城市房地產管理法》(中華人民共和國主席令
第29號,2007年8月30日第十屆全國人民代表大會常務委員會第二十九次


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                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
會議修訂);
     12. 《中華人民共和國專利法》(2008年中華人民共和國主席令第8
號);
     13. 《中華人民共和國證券法》(2014年8月31日第十二屆全國人民
代表大會常務委員會第十次會議修訂);
     14. 其他與評估工作相關的法律、法規和規章制度等。
     (三)評估準則依據
     1.《資產評估基本準則》(財資[2017]43號);
     2.《資產評估職業道德準則》(中評協[2017]30號);
     3.《資產評估執業準則—資產評估報告》(中評協[2018]35號);
     4.《資產評估執業準則—資產評估委托合同》(中評協[2017]33號);
     5.《資產評估執業準則—資產評估程序》(中評協[2018]36號);
     6.《資產評估執業準則—資產評估檔案》(中評協[2018]37號);
     7.《資產評估執業準則—機器設備》(中評協[2017]39號);
     8.《資產評估執業準則—無形資產》(中評協[2017]37號);
     9.《專利資產評估指導意見》(中評協〔2017〕49號);
     10. 《資產評估價值類型指導意見》(中評協[2017]47號);
     11. 《資產評估執業準則—企業價值》(中評協[2018]38號);
     12. 《資產評估執業準則—利用專家工作及相關報告》(中評協
[2017]35號) ;
     13. 《資產評估對象法律權屬指導意見》(中評協[2017]48號);
     14. 《資產評估機構業務質量控制指南》(中評協[2017]46號) ;
     15. 《企業國有資產評估報告指南》(中評協[2017]42號)。
     (四)資產權屬依據
     1.《中華人民共和國不動產權證》;
     2.《機動車行駛證》;
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     3.專利證書;
     4.重要資產購置合同或憑證;
     5.其他參考資料。
     (五)取價依據
     1.《中國人民銀行貸款利率表》2015年10月24日起執行;
     2.中國人民銀行外匯管理局公布的2019年9月30日匯率中間價;
     3.2018年度機電產品報價手冊;
     4.設備網上查詢價格信息資料;
     5.商務部、發改委、公安部、環境保護部令2012年第12號《機動車強
制報廢標準規定》;
     6.《關于固定資產進項稅額抵扣問題的通知》(財稅[2009]113號);
     7.上海市工程造價信息網有關造價信息資料;
     8.中國土地市場網;
     9.被評估單位及其管理層提供的行業介紹與分析,以及被評估單位的
介紹、財務資料和盈利預測表等評估基礎資料;
     10. 被評估單位管理層提供的未來收入、成本和費用預測表;
     11. 被評估單位管理層提供的在手合同及目標客戶信息資料;
     12. 評估人員采集的市場信息資料;
     13. 中聯資產評估集團有限公司價格信息資料庫相關資料;
     14. 其他參考資料。
     (六)其它參考資料
     1.《企業會計準則—基本準則》(財政部令第33號);
     2.《企業會計準則第1號—存貨》等38項具體準則(財會[2006]3號);
     3.《企業會計準則—應用指南》(財會[2006]18號);
     4.普華永道審定的2019年9月30日會計報表;
     5.《資產評估常用方法與參數手冊》(機械工業出版社2011年版);
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     6.Choice金融終端;
     7.其他參考資料。



     七、評估方法

     (一)評估方法的選擇

     依據資產評估準則的規定,企業價值評估可以采用收益法、市場法、
資產基礎法三種方法。收益法是企業整體資產預期獲利能力的量化與現值
化,強調的是企業的整體預期盈利能力。市場法是以現實市場上的參照物
來評價估值對象的現行公平市場價值,它具有估值數據直接取材于市場,
估值結果說服力強的特點。資產基礎法是指在合理評估企業各項資產價值
和負債的基礎上確定評估對象價值的思路。
     本次評估目的是為上海硅產業集團股份有限公司擬收購上海新昇半
導體科技有限公司股權提供價值參考依據,資產基礎法從企業購建角度反
映了企業的價值,為經濟行為實現后企業的經營管理及考核提供了依據,
因此本次評估選擇資產基礎法進行評估。
     上海新昇半導體科技有限公司主要從事晶棒生產,從 2016 年開始廠
房建成,2017 年開始試生產,由于其生產技術正在逐步改進,管理層預計
會很快達到穩定生產,其未來年度預期收益與風險也可以合理估計,也適
合采用收益法進行評估。依據本次評估目的,考慮到基準日其尚處于成長
期,總體來說,資產基礎法、市場法較優,故選取資產基礎法、市場法進
行評估。
     綜上,本次評估確定采用資產基礎法和市場法進行評估。

     (二)資產基礎法介紹

     資產基礎法,是以在評估基準日重新建造一個與評估對象相同的企業


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或獨立獲利實體所需的投資額作為判斷整體資產價值的依據,具體是指將
構成企業的各種要素資產的評估值加總減去負債評估值求得企業價值的
方法。
     各類資產及負債的評估方法如下:
     1.流動資產
     (1)貨幣資金
     貨幣資金包括現金、銀行存款。對人民幣現金及銀行存款,以核實后
賬面值為評估值。
     (2)應收類賬款
     對應收賬款、其他應收款的評估,評估人員在對應收類賬款核實無誤
的基礎上,借助于歷史資料和現在調查了解的情況,具體分析數額、欠款
時間和原因、款項回收情況、欠款人資金、信用、經營管理現狀等。應收
類賬款賬齡較短,且基準日后大部分已收回,暫無壞賬風險。故本次按核
實后賬面值確定評估值。
     (3)預付賬款
     對預付賬款的評估,評估人員核實了賬簿記錄、檢查了原始憑證等相
關資料,查閱了相關合同或協議,了解了評估基準日至評估現場作業日期
間已接受的服務和收到的貨物情況。未發現供貨單位有破產、撤銷或不能
按合同規定按時提供貨物或勞務等情況,故以核實后賬面值作為評估值。
     (4)存貨
     存貨為在途物資、原材料在產品及產成品。評估人員在核實數量和質
量的基礎上,采用市場法評估。
     其中:在途物資為近期購入的材料其價格波動不大,賬面價值與市場
價值基本相符,故以核實后賬面價值確定評估價值。
     原材料中進口原材料中關稅及國內運輸費全部進當期損益,評估按照
加計相關的關稅及國內運輸費確定評估值。國內外購原材料與近期購入的
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材料其價格波動不大,賬面價值與市場價值基本相符,以核實后的存貨金
額確定評估價值。
     在產品主要為企業領用的原材料,賬面凈值基本反映了在產品的現行
價值,故以核實后的賬面凈值確定評估值。
     對產成品評估,是根據企業提供的同型號產品在基準日附近時期的不
含稅銷售價格扣除相應的稅費后確定評估值,計算公式為:
     產成品的評估值=評估單價×實際數量
     =不含稅銷售單價×[1-銷售費用率-銷售稅金及附加率-銷售利潤率
×所得稅率-銷售利潤率×(1-所得稅率)×凈利潤折減率]×實際數量
     其中:
     不含稅銷售單價:根據企業提供的基準日附近時期同型號產品不含稅
銷售價格;
     銷售費用率:根據2019年9月30日審定報表,求得平均銷售費用率;
     銷售稅金及附加率:根據2019年9月30日審定報表,求得平均銷售稅金
及附加率;
     銷售利潤率:目前企業尚處于虧損狀態,銷售利潤率按零計算;
     所得稅率:被評估企業基準日企業所得稅稅率;
     凈利潤扣減率:對正常銷售的產品,一般情況下,凈利潤折減率按50%
考慮。
     對于企業計提的產成品存貨跌價準備,本次評估為零元。
     (5)其他流動資產
     其他流動資產為企業留抵增值稅,本次按核實后賬面值確定評估值。
     2.非流動資產
     (1)固定資產
     1)建筑物類資產
     納入評估范圍的房屋建(構)筑物均已完工并投入使用。房地產評估一
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般采用的基本方法有:市場比較法、收益法、成本法、假設開發法等,評
估人員應根據不同情況選用相應的方法進行評估。
     根據《房地產估價規范》及《資產評估準則——不動產》的相關規定,
應當根據評估對象的特點、價值類型、資料收集情況等相關條件,分析市
場比較法、收益法、成本法、假設開發法等方法的適用性選擇恰當的評估
方法,若對象適宜采用多種估價方法進行評估的,應同時采用多種估價方
法進行評估。同時,有條件采用市場比較法進行評估的,應以市場法作為
主要的評估方法。
     房地產評估方法有市場法、收益法、假設開發法、成本法等,由于評
估對象是工業建筑,類似房產的市場交易不活躍、成交案例能難以取得;
類似工業建筑整體租賃的案例很少,租金收益難以取得,故不適用市場法
和收益法。評估對象所涉及的土地上已建建筑物,未來沒有重新開發的計
劃,故不適合采用假設開發法。因此,本次對房屋建(構)筑物評估采用重
置成本法進行。
     計算公式:評估值=重置全價×成新率
     ①重置全價
     重值全價=建筑安裝工程造價(不含稅價)+前期及其他費用(不含稅
價)+資金成本
     a)建安工程造價的確定
     建筑安裝工程造價包括土建工程、裝飾工程、安裝工程的總價,工程
造價采用重編預算法進行計算,套用《上海市建筑和裝飾工程預算定額
(2016)》、《上海市安裝工程預算定額(2016)》等規定的費率,首先
計算出工程直接費及其他規定費用,然后根據上海市建筑建材業市場管理
總站發布的《上海市工程造價信息 2019 年第 3 季度信息價》計取工程人材
機價差,確定建安綜合造價。
     b)前期及其他費用的確定
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     房屋建筑物的前期及其他費用套用財政部、建設部的有關規定收取的
建設費用及建設單位為建設工程而投入的除建筑造價外的其它費用兩個
部分。
     c)資金成本的確定
     資金成本系在建設期內為工程建設所投入資金的貸款利息,其采用的
利率按基準日中國人民銀行規定標準計算,工期按建設正常合理周期計算,
并按均勻投入考慮。
     ②成新率
     本次評估房屋建筑物成新率的確定,參照不同結構的房屋建筑物的經
濟壽命年限,并通過評估人員對各建(構)筑物的實地勘察,對建(構)筑物
的基礎、承重構件(梁、板、柱)、墻體、地面、屋面、門窗、墻面粉刷、
吊頂及上下水、通風、電照等各部分的勘察,根據原城鄉環境建設保護部
發布的《房屋完損等級評定標準》、《鑒定房屋新舊程度參考依據》和《房
屋不同成新率的評分標準及修正系數》,結合建筑物使用狀況、維修保養
情況,分別評定得出各建筑物的尚可使用年限。
     成新率根據房屋已使用年限和尚可使用年限計算。
     成新率=尚可使用年限/(已使用年限+尚可使用年限)×100%
     ③評估值的計算
     評估值=重置全價×成新率
     2)設備類資產
     根據本次評估目的,按照持續使用原則,以市場價格為依據,結合委
估設備的特點和收集資料情況,主要采用成本法進行評估。
     成本法計算公式:評估價值=重置全價×成新率
     ①機器設備及電子設備
     A.重置全價的確定
     重置全價由設備購置費、運雜費、安裝工程費、其他費用等組成?;?br />中聯資產評估集團有限公司                                                  第44頁
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準日新昇半導體為增值稅一般納稅人繳納單位,故設備重置全價剔除增值
稅。重置全價計算公式:
     國產外購設備重置全價=設備購置價(不含稅)+運雜費(不含稅)+安裝
調試費(不含稅)+前期費用(不含稅)+資金成本
     進口設備重置全價=CIF 價+關稅+銀行手續費+外貿手續費+國內
運雜費(不含稅)+安裝調試費(不含稅)+前期費用(不含稅)+資金成本
     a.設備購置價或 CIF 價確定
     向設備的生產廠家、代理商及經銷商詢價,查詢設備價格信息網的報
價,能夠查詢到基準日市場價格的設備,以市場價確定其購置價;對無法
詢價及查閱到價格的設備,用類似設備的現行市價加以確定。
     b.運雜費的確定
     設備運雜費是指從產地到設備安裝現場的運輸費用。運雜費率以設備
購置價為基礎,根據生產廠家與設備安裝所在地的距離不同,按不同運雜
費率計取。如供貨條件約定由供貨商負責運輸和安裝時(在購置價格中已
含此部分價格),則不計運雜費。
     c.安裝調試費的確定
     參考《資產評估常用數據與參數手冊》等資料,按照設備的特點、重
量、安裝難易程度,以含稅設備購置價為基礎,按不同安裝費率計取。
     對小型、無須安裝的設備,不考慮安裝調試費。
     d.前期及其他費用的確定
     前期及其他費用套用財政部、建設部的有關規定收取的建設費用及建
設單位為建設工程而投入的除建筑造價外的其它費用兩個部分。
     e.資金成本的確定
     資金成本系在建設期內為工程建設所投入資金的貸款利息,其采用的
利率按基準日中國人民銀行規定標準計算,工期按建設正常合理周期計算,
并按均勻投入考慮。
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     f.進口設備相關的關稅、增值稅、銀行財務費、外貿手續費等,參照
《機械工業建設項目概算編制辦法及各項概算指標》(1995)關于“進口設
備費用計算辦法”之規定確定。
     B.成新率的確定
     在本次評估過程中,結合設備的經濟使用壽命、現場勘察情況預計設
備尚可使用年限,并進而計算其成新率。其公式如下:
     成新率=尚可使用年限/(實際已使用年限+尚可使用年限)×100%
     對價值量較小的一般設備和電子設備則采用年限法確定其成新率。
     C.評估價值的確定
     評估價值=重置全價×成新率
     ②運輸車輛
     A.重置全價的確定
     根據當地經銷商報價確定本評估基準日的運輸車輛價格,在此基礎上
根據《中華人民共和國車輛購置稅暫行條例》及當地相關文件計入車輛購
置稅、新車上戶牌照手續費等,確定其重置全價:
     重置全價=現行不含稅購置價+車輛購置稅+新車上戶牌照手續費等
     a.現行購價主要取自當地汽車市場現行報價或參照網上報價;
     b.車輛購置稅按國家相關規定計??;
     c.新車上戶牌照手續費等按當地交通管理部門規定計取。
     B.成新率的確定
     對于運輸車輛,根據《商務部、發改委、公安部、環境保護部令 2012
年第 12 號》的有關規定,按以下方法確定成新率后取其較小者為最終成新
率,即:
     使用年限成新率=(1-已使用年限/經濟使用年限)×100%
     行駛里程成新率=(1-已行駛里程/規定行駛里程)×100%
     成新率=Min(使用年限成新率,行駛里程成新率)
中聯資產評估集團有限公司                                                  第46頁
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                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
     同時對待估車輛進行必要的勘察鑒定,若勘察鑒定結果與按上述方法
確定的成新率相差較大,則進行適當的調整,若兩者結果相當,則不進行
調整。
     C.評估價值的確定
     評估價值=重置全價×成新率
     (2)在建工程
     在建工程為設備安裝工程,評估人員經查閱設備購置合同、付款憑證
等相關資料進行清查、核實。經清查,上述設備已到并部分安裝,尚未投
入使用,企業入賬價值已包含資本化利息,故本次按核實后賬面值確認。
     (3)無形資產
     無形資產主要為土地使用權及其他無形資產。
     1)無形資產-土地使用權
     根據中華人民共和國房地產評估規范,土地使用權評估通常有市場比
較法,收益法、成本法、假設開發法及基準地價系數修正法。本次評估根
據評估目的要求,針對評估對象具體情況,以及可能收集到的資料,采用
適宜的評估方法進行評估。
     評估對象為工業用地,周邊缺乏同類土地租賃案例,故不適用收益法;
土地已開發完成,故不適用假設開發法;由于該地區動遷政策情況等基礎
資料無法查得,因此不適合采用成本法評估。
     評估對象所處區域內工業土地土地出讓案例較多,故適用市場比較法
求??;上海市于 2013 年公布了《上海市 2013 年基準地價更新成果》,評
估對象處于基準地價區域范圍內,土地個別狀況較為明確,符合基準地價
修正體系的要求,故適用基準地價系數修正法。
     鑒于上述情況,本次評估分別采用市場比較法和基準地價系數修正法
進行評估,再進行比較分析,取較為合理的結果作為評估值。
     ①市場比較法
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     市場比較法是在求取一宗待估土地的價格時,根據替代原則,將待估
宗地與較近時期內已經發生了交易的類似土地實例加以比較對照,并依據
后者已知的價格,參照該土地的交易情況、期日、區域以及個別因素等差
別,修正得出待估宗地在評估基準日地價的一種方法。其基本公式為:
     宗地地價=VB×A×B×D×E
     式中:
     VB:比較實例價格;
     A:待估宗地情況指數/比較實例宗地情況指數
     =正常情況指數/比較實例宗地情況指數
     B:待估宗地估價期日地價指數/比較實例宗地交易日期地價指數
     D:待估宗地區域因素條件指數/比較實例宗地區域因素條件指數
     E:待估宗地個別因素條件指數/比較實例宗地個別因素條件指數
     ②基準地價系數修正法
     基準地價系數修正法是根據替代原則,首先選取與評估對象相應的土
地級別及用途相同的基準地價,然后對選取的基準地價進行期日、年期、
區域因素、個別因素、容積率及土地開發程度進行修正,得到評估對象土
地價格。計算公式:
     待估土地價格=基準地價×(1+期日修正系數)×年期修正系數×容積
率修正系數×(1+∑Ki)+土地開發程度修正
     式中:∑Ki為區域因素和個別因素各項修正系數之和
     2)無形資產-其他無形資產
     其他無形資產為外購辦公軟件。另企業申報的賬面未記錄的無形資產
為專利及專利申請權共計605項。
     ①外購軟件
     對外購軟件,采用市場法進行評估。
     ②專利
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     無形資產評估的方法通常有成本法、市場法和收益法三種。
     市場法主要通過在活躍的專利、專有技術市場或資本市場上選擇相
同或相似的專利或專有技術作為參照物,同時針對各種價值影響因素,
如專利技術的功能進行類比,將被評估專利或專有技術與參照物進行價
格差異的比較調整,分析各項調整結果、從而確定專利或專有技術的價
值。使用市場法評估專利或專有技術的必要前提包括:市場數據公開化
程度較高;存在可比的專利或專有技術;參照物的價值影響因素明確且
能夠量化等,專利或專有技術市場法評估中使用頻率較高的是功能性類
比法。由于我國專利、專有技術市場交易目前尚處于初級階段,類似專
利、專有技術的公平交易數據采集較為困難,因此市場法在本次評估應
用中可操作性較差。
     收益法是以被評估專利、專有技術未來所能創造的收益的現值來確
定評估價值,對專利、專有技術等無形資產而言,其價值主要來源于直
接變賣該等無形資產的收益,或者通過使用該等無形資產為其產品或服
務注入技術加成而實現的超額收益。由于上海新昇半導體科技有限公司
無形資產相關產品目前尚處于試生產階段,因企業生產技術尚需改進,
管理層也無法確定何時能夠穩定并量產,故與無形資產相關的無法形容
預期收益與風險難以合理估計,故本次不適用收益法評估。
     成本法通過分析重新開發出被評估專利資產所需花費的物化勞動來
確定評估價值。成本法評估一般適用于經營與收益之間不存在較穩定的
對應關系,相應產品價格存在弱市場性的專利、專有技術評估。成本法
評估從重新購建的角度反映無形資產價值??紤]到本次申報評估的專利
及專利申請權,其研發過程中所發生的人工及其他費用可以取得,故可
采用成本法進行評估。
     綜上,本次評估選用成本法對無形資產進行評估。
     無形資產成本主要由其研制中投入的物化勞動,主要成本為研制開
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發人員的職工薪酬、研發材料及專利申請相關費用等構成。無形資產所
占用的研發費用的投資回報主要考慮資金成本。無形資產因技術產品的
更新換代及被新的技術代替等因素,將導致其技術的陳舊性貶值。
     無形資產價值的評估模型為:
     A=B×(1-Q)
     A:無形資產評估值
     B:研發費用與研發費用投資回報之和
     Q:技術的陳舊率
     Q=技術已使用年限/(技術已使用年限+預計尚可使用時間)
     (4)長期待攤費用
     長期待攤費用為二期安裝工程險。評估人員在清查核實的基礎上進行
評估,以核實后的賬面值作為評估值。
     (5)其他非流動資產
     其他非流動資產為預付設備款及工程款。評估人員在清查核實的基礎
上進行評估,以核實后的賬面值作為評估值。
     (6)負債
     負債主要由應付賬款、預收賬款、應付職工薪酬、應交稅費、其他應
付款、一年內到期的非流動負債、長期借款及遞延收益等組成,評估人員
在清查核實的基礎上進行評估,檢驗核實各項負債在評估目的實現后的實
際債務人和負債額,以評估目的實現后的產權所有者實際需要承擔的負債
項目及金額確定評估值。

     (三)市場法簡介

     1.概述
     企業價值評估中的市場法,是指將評估對象與可比上市公司或者可比
交易案例進行比較,確定評估對象價值的評估方法。市場法常用的兩種具

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體方法是上市公司比較法和交易案例比較法。
     上市公司比較法是指獲取并分析可比上市公司的經營和財務數據,計
算適當的價值比率,在與被評估企業比較分析的基礎上,確定評估對象價
值的具體方法。
     交易案例比較法是指獲取并分析可比企業的買賣、收購及合并案例資
料,計算適當的價值比率,在與被評估企業比較分析的基礎上,確定評估
對象價值的具體方法。
     2.技術思路
     (1)采用市場法時,應當選擇與被評估公司進行比較分析的可比公司,
保證所選擇的可比公司與被評估公司具有可比性??杀裙就ǔ斉c被
評估公司屬于同一行業,或受相同經濟因素的影響。具體來說一般需要具
備如下條件:
     A.必須有一個充分發展、活躍的市場;
     B.存在三個或三個以上相同或類似的參照物;
     C.可比公司與被評估公司的價值影響因素明確,可以量化,相關資料
可以搜集。
     (2)由于并購案例資料難以收集,且無法了解其中具體交易條款及是
否存在非市場價值因素,因此本次評估不選用交易案例比較法??紤]到該
行業存在可比上市公司,本次評估選擇采用上市公司比較法,即將被評估
公司與同行業的上市公司進行比較,對這些上市公司企業價值和經濟數據
作適當的修正,以此估算被評估公司的合理價值的方法。
     (3)運用上市公司比較法步驟如下:
     A.搜集同行業上市公司信息,選取和確定可比上市公司。
     B.分析選取價值比率。
     C.分析調整財務數據。
     D.查詢計算每個可比上市公司價值比率。
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     E.分析確定修正價值比率修正因素,并計算修正后的價值比率。
     F.根據計算修正后的價值比率,計算被評估公司可比價值。
     G.對被評估公司可比價值進行分析調整,確定最終評估。
     (4)采用上市公司比較法評估股東全部權益價值的基本公式如下:
     股東全部權益價值=(股東全部權益可比價值+非經營性資產價值+溢
余資產價值)×(1-非流通折扣率)
     3.具體方法選擇
     根據本項目的實際情況及資料取得情況,本項目評估選取上市公司比
較法作為具體方法。再根據被評估企業具體情況和收集資料情況分析確定
價值比率。



     八、評估程序實施過程和情況

     整個評估工作分四個階段進行:

     (一)評估準備階段

     1.委托人召集本項目各中介協調會,有關各方就本次評估的目的、評
估基準日和評估范圍等問題協商一致,并制訂出本次資產評估工作計劃。
     2.配合企業進行資產清查、填報資產評估申報明細表等工作。評估項
目組人員對委估資產進行了詳細了解,布置資產評估工作,協助企業進行
委估資產申報工作,收集資產評估所需文件資料。

     (二)現場評估階段

     本次評估的資產清查核實及盡職調查,是在企業主要資產的所在地現
場進行。采用的方法主要是通過對企業現場清查、參觀、以專題座談會的
形式,對被評估單位的經營性資產的現狀、生產條件和能力以及歷史經營
狀況、經營收入、成本、期間費用及其構成等的狀況進行調查復核。

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     根據本次項目整體時間安排,現場評估階段是2020年4月中旬。按照本
次評估確定采用的評估方法,對企業申報的評估范圍內資產進行清查和核
實,主要工作如下:
     1.聽取委托人及被評估企業有關人員介紹企業總體情況和納入評估
范圍資產的歷史及現狀,了解企業的財務制度、經營狀況、固定資產技術
狀態等情況;
     2.對企業提供的資產評估申報明細表進行審核、鑒別,并與企業有關
財務記錄數據進行核對,對發現的問題協同企業做出調整;
     3.根據資產評估申報明細表,對實物類資產進行現場清查和盤點;
     4.查閱收集納入評估范圍資產的產權證明文件,對被評估企業提供的
權屬資料進行查驗,核實資產權屬情況。統計資產瑕疵情況,請被評估企
業核實并確認這些資產是否屬于企業、是否存在產權糾紛;
     5.根據納入評估范圍資產的實際狀況和特點,確定各類資產的具體評
估方法;
     6.對建筑物及設備類資產,了解管理制度和維護、改建、擴建情況,
查閱并收集技術資料、決算資料、竣工驗收資料等相關資料;對通用設備,
主要通過市場調研和查詢有關資料,收集價格資料;
     7.評估對象執行的稅率稅費及納稅情況;
     8.評估對象的業務類型、歷史經營業績和經營模式等;
     9.證券市場、產權交易市場等市場的有關資料;
     10. 可比企業的財務信息、股票價格或者股權交易價格等資料;
     11. 與本次評估有關的其他情況。

     (三)評估匯總階段

     對收集的評估資料進行必要分析、歸納和整理,形成評定估算的依據;
根據評估對象、價值類型、評估資料收集情況等相關條件,選擇適用的評

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估方法,選取相應的公式和參數進行分析、計算和判斷,形成初步評估結
果。

     (四)提交報告階段

     在上述工作基礎上,起草初步資產評估報告,初步審核后與委托人就
評估結果交換意見。在獨立分析相關意見后,按評估機構內部資產評估報
告審核制度和程序進行修正調整,最后出具正式資產評估報告。



     九、評估假設

     本次評估中,評估人員遵循了以下評估假設:

     (一)一般假設

       1.交易假設
     交易假設是假定所有待評估資產已經處在交易的過程中,評估師根據
待評估資產的交易條件等模擬市場進行估價。交易假設是資產評估得以進
行的一個最基本的前提假設。
       2.公開市場假設
     公開市場假設,是假定在市場上交易的資產,或擬在市場上交易的資
產,資產交易雙方彼此地位平等,彼此都有獲取足夠市場信息的機會和時
間,以便于對資產的功能、用途及其交易價格等做出理智的判斷。公開市
場假設以資產在市場上可以公開買賣為基礎。
       3.資產持續經營假設
     資產持續經營假設是指評估時需根據被評估資產按目前的用途和使
用的方式、規模、頻度、環境等情況繼續使用,或者在有所改變的基礎上
使用,相應確定評估方法、參數和依據。

     (二)特殊假設

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     1.本次評估假設評估基準日后國家現行的宏觀經濟、金融以及產業政
策等外部經濟環境不會發生不可預見的重大不利變化。
     2.假設評估對象所處的社會經濟環境以及所執行的稅賦、稅率等政策
無重大變化,信貸政策、利率、匯率基本穩定。
     3.本次評估的各項資產均以評估基準日的實際存量為前提,有關資產
的現行市價以評估基準日的國內有效價格為依據。
     4.評估對象經營業務合法,并不會出現不可預見的因素導致其無法持
續經營。
     5.以持續使用和公開市場為前提,確定的現行市場價值,沒有考慮將
來可能承擔的抵押、擔保事宜,以及特殊的交易方式可能追加付出的價格
等對其評估價值的影響,也未考慮國家宏觀經濟政策發生變化以及遇有自
然力和其它不可抗力對資產價格的影響。
     當上述條件發生變化時,評估結果一般會失效。



     十、評估結論

     根據有關法律法規和資產評估準則,采用資產基礎法和市場法,按照
必要的評估程序,對上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益在評估基
準日 2019 年 9 月 30 日的市場價值進行了評估。
     (一) 評估結果

     采用資產基礎法,得出被評估單位在評估基準日 2019 年 9 月 30 日的
評估結論:
     總資產賬面值 234,579.62 萬元,評估值 278,475.04 萬元,評估增值
43,895.42 萬元,增值率 18.71%。
     負債賬面值 167,539.32 萬元,評估值 78,748.96 萬元,評估減值
88,790.36 萬元,減值率 53.00%。
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      凈資產賬面值 67,040.30 萬元,評估值 199,726.08 萬元,評估增值
132,685.78 萬元,增值率 197.92%。詳見下表。

                                   資產評估結果匯總表
被評估單位:上海新昇半導體科技有限公司        評估基準日:2019 年 9 月 30 日        金額單位:人民幣萬元

                                         賬面價值        評估價值          增減值            增值率%
       項                目
                                            B                 C            D=C-B            E=D/B×100%

 1    流動資產                              40,543.06      41,046.21              503.15            1.24

 2    非流動資產                           194,036.56     237,428.83            43,392.27          22.36

 3           固定資產                      143,011.98     155,373.82            12,361.84           8.64

 4           其中:建 筑 物                 22,375.47      26,241.96             3,866.49          17.28

 5                  設        備           120,636.52     129,131.86             8,495.34           7.04

 6           在建工程                       25,683.96      25,683.96                    -                  -

 7           無形資產                        8,385.22      39,415.65            31,030.43         370.06

 8           其中:土地使用權                6,779.90      13,182.53             6,402.63          94.44

 9           長期待攤費用                       94.42             94.42                 -                  -

 10          遞延所得稅資產                         -                 -                 -

 11          其他非流動資產                 16,860.98      16,860.98                    -                  -

 12           資產總計                     234,579.62     278,475.04            43,895.42          18.71

 13 流動負債                                42,887.94      42,887.94                    -                  -

 14 非流動負債                             124,651.38      35,861.02           -88,790.36          -71.23

 15           負債總計                     167,539.32      78,748.96           -88,790.36          -53.00

 16 凈 資 產(所有者權益)                  67,040.30     199,726.08           132,685.78         197.92

      資產基礎法評估結論詳細情況見評估明細表。
      (二) 市場法評估結果


      采用市場法評估,上海新昇半導體科技有限公司凈資產賬面值為
67,040.30 萬元,評估值為 220,700.00 萬元,評估增值 153,659.70 萬元,
增值率 229.20%。
      評估結果分析及最終評估結論


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     1.評估結果分析
     本次評估采用資產基礎法得出的股東全部權益價值為199,726.08萬
元,比市場法測算得出的股東全部權益價值220,700.00萬元低20,973.92
萬元。兩種評估方法差異的原因主要是:
     (1)資產基礎法評估是以資產的成本重置為價值標準,反映的是資產
投入(購建成本)所耗費的社會必要勞動,這種購建成本通常將隨著國民經
濟的變化而變化;
     (2)市場法是從整體市場的表現和未來的預期來評定企業的價值,是
企業在某時點所反映的外部市場價格,其結果會受到市場投資環境、投機
程度、以及投資者信心等一些因素影響而波動相對劇烈。
     綜上所述,從而造成兩種評估方法產生差異。
     2.最終評估結論
     市場法所選用的股票市值未能體現大股東真實變現所產生的各類變
現成本,如大額拋售對每股價格的影響等,以及市場法結果會受到市場投
資環境、投機程度、以及投資者信心等一些因素影響而波動相對劇烈。 而
資產基礎法是對企業賬面資產和負債的現行公允價值進行評估,是以企業
要素資產的再建為出發點。相對而言,資產基礎法的評估結果較能合理反
應被評估企業股東全部權益于評估時點的市場價值。
     通過以上分析,我們選用資產基礎法評估結果199,726.08萬元作為本
次公司股東全部權益(凈資產)價值參考依據。
     (三) 評估結論與賬面價值比較變動情況及原因

     被評估企業的資產基礎法評估結果較其凈資產賬面值增值的主要原
因是:
     1.存貨評估增值:系由于原材料賬面成本為關稅完稅價格,本次評估
價值由關稅完稅價格、關稅及國內運輸費等組成,導致評估增值;


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     2.固定資產增值:系建筑物及設備評估增值,建筑物評估增值系評估
基準日較建造時期人、材、機的價格小幅上漲;設備評估增值系進口設備
匯率變動,考慮了項目建設相關的前期費用及其他費用,企業計提固定資
產折舊的速度較快,以及本次評估考慮了上海市區客車牌照價值;
     3.遞延收益評估減值,系由于遞延收益為非直接性負債,為未來不需
支付的款項,本次按遞延收益確認時應繳的企業所得稅確定評估價值。
     上述因素共同作用,導致被評估企業股東全部權益(凈資產)評估增值。



     十一、特別事項說明

     評估報告使用人在使用本評估報告時,應關注以下特別事項對評估結
論可能產生的影響,在依據本報告自行決策時給予充分考慮。
     (一) 權屬等主要資料不完整或者存在瑕疵的情形
     (1)產權瑕疵事項
     評估人員未發現產權瑕疵事項。委托人與被評估單位亦明確說明不存
在產權瑕疵事項。
     (2)抵押擔保事項
     截止評估基準日,被評估企業抵押借款主要為與招商銀行上海華靈支
行簽訂的兩年期浮動利率借款協議下的人民幣借款270,000,000.00元,借
款額度人民幣507,000,000.00元,由上海新昇241,832,925.29元的已購機
器設備及估價558,167,074.71元的待采購機器設備合計800,000,000.00
元的機器設備作抵押,并由上海硅產業集團股份有限公司提供擔保,借款
期限為2019年3月39日至2021年3月29日,借款的年利率為4.9875%,利息每
季度支付一次,本金應于2021年3月29日前分批償還。
     2019年8月6日,新昇半導體與上海銀行簽訂編號為“23019002001”
的固定資產借款合同,借款期限自2019年8月6日至2024年5月30日,借款

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                                       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
金額為人民幣100,000.00萬元,用于集成電路制造用300毫米硅片技術研
發與產業化一期擴產項目。上述借款由上海硅產業集團股份有限公司提
供保證擔保,以及上海新昇半導體科技有限公司提供設備抵押擔保,
     以上事項特提醒報告使用者注意。

     (二)委托人未提供的其他關鍵資料說明

     評估人員未發現有委托人未提供的其他關鍵資料。委托人亦明確說明
不存在其他關鍵資料未提供情況。

     (三)未決事項、法律糾紛等不確定因素

     評估人員未獲悉企業存在未決事項、法律糾紛等不確定因素。委托人
與被評估單位亦明確說明不存在未決事項、法律糾紛等不確定因素。

     (四) 重要的利用專家工作及相關報告情況
     本次評估報告中基準日各項資產及負債賬面值系包括在經普華永道
審計的上海硅產業集團股份有限公司合并報表范圍內(普華永道中天審字
(2019)第 11056 號)。
     除此之外,未引用其他機構報告內容。

     (五)重大期后事項

     期后事項是指評估基準日之后出具評估報告之前發生的重大事項。
     本次評估申報范圍內的房屋建筑物共19幢,位于上海市浦東新區云水
路1000號內,房屋總建筑面積102,982.05平方米,于評估基準日尚未取得
不動產權證,土地由“滬房地浦字(2016)第279070號”《上海市房地產權
證》確權,為出讓工業用地。上述建筑物已于2019年10月24日取得“滬(2019)
浦字不動產權第117292號”《中華人民共和國不動產權證》。
     除上述事項外,評估人員未發現其他重大期后事項,委托人與被評估
單位亦明確告知不存在其他重大期后事項。

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                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
     (六)評估程序受限的有關情況、評估機構采取的彌補措施及對評估結
論影響的說明

     評估人員未發現影響資產核實事項。委托人與被評估單位亦明確說明
不存在影響資產核實事項。

     (七)其他需要說明的事項

     1.關于專利及專利申請權評估
     依據上海新昇半導體科技有限公司提供的資料,新昇公司申報評估范
圍內的專利或專利申請權,因受市場的變化和技術更新的影響,原開發及
申請的部分專利或專利申請權所對應的技術,公司目前未使用,管理層目
前預計未來也不會使用。本次評估,以企業申報的研發成本總金額,按企
業目前在用的專利或專利申請權占申報的專利或專利申請權的比例進行
調整,以調整后的研發成本為基數估算專利或專利申請權評估價值。以上
事項特提醒報告使用者注意。
     2.評估師和評估機構的法律責任是對本報告所述評估目的下的資產
價值量做出專業判斷,并不涉及到評估師和評估機構對該項評估目的所對
應的經濟行為做出任何判斷。評估工作在很大程度上,依賴于委托人及被
評估單位提供的有關資料。因此,評估工作是以委托人及被評估單位提供
的有關經濟行為文件,有關資產所有權文件、證件及會計憑證,有關法律
文件的真實合法為前提。
     3.評估過程中,評估人員觀察所評估房屋建筑物的外貌,在盡可能的
情況下察看了建筑物內部裝修情況和使用情況,未進行任何結構和材質測
試。在對設備進行清查時,因檢測手段限制及部分設備正在運行等原因,
主要依賴于評估人員的外觀觀察和被評估單位提供的近期檢測資料及向
有關操作使用人員的詢問情況等判斷設備狀況。
     4.本次評估范圍及采用的由被評估單位提供的數據、報表及有關資料,

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                           上海新昇半導體科技有限公司股東全部權益項目資產評估報告
委托人及被評估單位對其提供資料的真實性、完整性負責。
     5.評估報告中涉及的有關權屬證明文件及相關資料由被評估單位提
供,委托人及被評估單位對其真實性、合法性承擔法律責任。
     6.在評估基準日以后的有效期內,如果資產數量及作價標準發生變化
時,應按以下原則處理:
     (1)當資產數量發生變化時,應根據原評估方法對資產數額進行相應
調整;
     (2)當資產價格標準發生變化、且對資產評估結果產生明顯影響時,委
托人應及時聘請有資格的資產評估機構重新確定評估價值;
     (3)對評估基準日后,資產數量、價格標準的變化,委托人在資產實際
作價時應給予充分考慮,進行相應調整。
     7.評估師執行資產評估業務的目的是對評估對象價值進行估算并發
表專業意見,并不承擔相關當事人決策的責任。評估結論不應當被認為是
對評估對象可實現價格的保證。
     8.本次評估對象為被評估單位股東全部權益,未考慮資產流動性對評
估結論的影響。




     十二、資產評估報告使用限制說明

     (一)本評估報告只能用于本報告載明的評估目的和用途。同時,本次
評估結論是反映評估對象在本次評估目的下,根據公開市場的原則確定的
現行公允市價,沒有考慮將來可能承擔的抵押、擔保事宜,以及特殊的交
易方可能追加付出的價格等對評估價格的影響,同時,本報告也未考慮國
家宏觀經濟政策發生變化以及遇有自然力和其它不可抗力對資產價格的
影響。當前述條件以及評估中遵循的持續經營原則等其它情況發生變化時,
評估結論一般會失效。評估機構不承擔由于這些條件的變化而導致評估結

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                                       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
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果失效的相關法律責任。
     本評估報告成立的前提條件是本次經濟行為符合國家法律、法規的有
關規定,并得到有關部門的批準。
     (二)本評估報告只能由評估報告載明的評估報告使用者使用。評估報
告的使用權歸委托人所有,未經委托人許可,本評估機構不會隨意向他人
公開。
     (三)未征得本評估機構同意并審閱相關內容,評估報告的全部或者部
分內容不得被摘抄、引用或披露于公開媒體,法律、法規規定以及相關當
事方另有約定的除外。
     (四)資產評估報告使用人應當正確理解和使用評估結論。評估結論不
等同于評估對象可實現價格,評估結論不應當被認為是對評估對象可實現
價格的保證。
     (五)評估結論的使用有效期:根據資產評估相關法律法規,涉及法定
評估業務的資產評估報告,須委托人按照法律法規要求履行資產評估監督
管理程序后使用,評估結果使用有效期一年,即自2019年9月30日至2020年
9月29日使用有效。




     十三、資產評估報告日

     本資產評估報告日為二〇二〇年五月二十二日。
     (此頁以下無正文)




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                                       上海硅產業集團股份有限公司擬股權收購所涉及的
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                                   附件目錄
     1.上海新昇半導體科技有限公司《臨時董事會決議》 (復印件);
     2.經普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)審計審定的會計報
表 (復印件);
     3.委托人及被評估單位企業法人營業執照(復印件);
     4.評估對象涉及的主要權屬證明資料(復印件);
     5.委托人及被評估單位的承諾函;
     6.簽字資產評估師的承諾函;
     7.中聯資產評估集團有限公司企業法人營業執照(復印件);
     8.中聯資產評估集團有限公司資產評估備案文件(復印件);
     9.簽字資產評估師資格證書(復印件);
     10. 資產評估明細表。




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